نیک فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

نیک فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی جریان نشتی درین القاء شده از گیت (GIDL) و کاهش نشت توان با کنترل GIDL در ترانزیستور MOSFET

اختصاصی از نیک فایل سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی جریان نشتی درین القاء شده از گیت (GIDL) و کاهش نشت توان با کنترل GIDL در ترانزیستور MOSFET دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی جریان نشتی درین القاء شده از گیت (GIDL) و کاهش نشت توان با کنترل GIDL در ترانزیستور MOSFET


سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی جریان نشتی درین القاء شده از گیت (GIDL) و کاهش نشت توان با کنترل GIDL در ترانزیستور MOSFET

این محصول در قالب پی دی اف و 106 صفحه می باشد.

این سمینار جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق-الکترونیک طراحی و تدوین گردیده است . و شامل کلیه مباحث مورد نیاز سمینار ارشد این رشته می باشد.نمونه های مشابه این عنوان با قیمت های بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این سمینار را با قیمت ناچیزی جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه با منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده ازمنابع اطلاعاتی و بالابردن سطح علمی شما در این سایت ارائه گردیده است.

چکیده:

در بسیاری از طرح های با کارآیی بالای جدید، اهمیت نشت توان مصرفی قابل مقایسه با سرعت کلیدزنی است. گزارش شده است 40% یا حتی بیشتر توان مصرفی کل ناشی از نشت ترانزیستورها می باشد. این درصد با مقیاس بندی تکنولوژی افزایش می یابد مگر اینکه تکنیک های موثری برای کنترل نشتی معرفی گردد، هدف از این مطالعه بهینه سازی و طراحی تکنیک های جدید برای کنترل جریان نشتی درین القاء شده از گیت (GIDL) و به دنبال آن کاهش نشت توان است.

مقدمه:

با پیشرفت سریع در فناوری ساخت افزاره های نیمه هادی، چگالی تراشه ها و سرعت آنها افزایش یافته است. کنترل توان مصرفی در افزاره های قابل حمل مسئله ای اساسی است. توان مصرفی بالا طول عمر باتری موجود در این افزاره ها را کاهش می دهد. کاهش توان تلفاتی حتی برای افزاره های غیرقابل حمل، نیز مهم می باشد زیرا افزایش توان تلفاتی منجر به افزایش چگالی بسته بندی و هزینه های خنک سازی می شود.

افزاره های الکترونیکی قابل حمل به علت پیچیدگی ساختار، بیش از یک تک تراشه VLSI را به خود اختصاص می دهند. بیشتر توان تلفاتی در یک افزاره الکترونیکی قابل حمل، شامل مولفه های غیر دیجیتال است. تکنیک های موثر برای کاهش توان تلفاتی در چنین سامانه هایی که مربوط به قطع یا کاهش مولفه های نشتی است مدیریت توان دینامیک خوانده می شود. در سامانه های قدیمی ممکن است چندین طرح مدیریت توان دینامیک استفاده شود که یکی کردن آنها کار دشواری است و ممکن است نیاز به تکرار خیلی از طرح ها و اشکال زدایی داشته باشد. توان تلفاتی IC مولفه های مختلفی دارد و به نوع عملکرد مدار وابسته است.

اولا، کلیدزنی یا مولفه توان دینامیک در طول مد فعال عملکرد، غالب می شوند. ثانیا، دو منبع نشت اولیه وجود دارد: نشت فعال و نشت حالت انتظار. نشت حالت انتظار ممکن است با تغییر با یاس بدنه یا قطع متناوب توان کوچکتر از نشت فعال شود.

کاهش ولتاژ (VDD) شاید موثرترین روش ذخیره توان به علت وابستگی مربعی توان فعال مدار دیجیتال به منبع ولتاژ باشد. متاسفانه، کاهش VDD، سرعت افزاره را کاهش می دهد زیرا ولتاژ راه انداز گیت، VGS- , VT کاهش می یابد. برای مقابله با این مشکل، یک بهینه سازی روی VDD انجام شده و کمترین کاهش VDD برای اغناع کردن احتیاجات سرعتی مدار به کار گرفته می شود. کاهش منابع ولتاژ، در هر تولید تکنولوژی به کاهش توان تلفاتی دینامیک مدارهای منطقی CMOS کمک می کند. کاهش منابع ولتاژ، تأخیر گیت ها را افزایش می دهد مگر اینکه ولتاژ آستانه ترانزیستورها نیز کاهش یابد که این نیز موجب افزایش جریان نشتی ترانزیستورها می شود. در نتیجه کاهش VDD تلفات توان دینامیک را کاهش می دهد ولی تلفات توان استاتیک را زیاد می کند. بنابراین یک مصالحه واضح بین نشت حالت خاموش (توان استاتیک) و توان فعال (توان دینامیک) برای کاربردهای مشخص وجود دارد، که منجر به دقت در انتخاب VT و VDD می شود. مجتمع سازی افزاره منجر به ترکیب بسیاری از وظایف روی یک تراشه می شود، بنابراین فهم نقطه بهینه و قابل کاربرد VT و VDD برای همه بلوک های مداری روی یک تراشه سخت و مشکل می باشد. در نتیجه، تکنیک های طراحی، می توانند با بلوک های مداری تغییر کنند.

 


دانلود با لینک مستقیم


سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی جریان نشتی درین القاء شده از گیت (GIDL) و کاهش نشت توان با کنترل GIDL در ترانزیستور MOSFET

پاسخ های احساسی به یک روند القاء احساسات منفی در اختلال شخصیت مرزی

اختصاصی از نیک فایل پاسخ های احساسی به یک روند القاء احساسات منفی در اختلال شخصیت مرزی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع فارسی: پاسخ های احساسی به یک روند القاء احساسات منفی در اختلال شخصیت مرزی

موضوع انگلیسی: Emotional responses to a negative emotion induction procedure in Borderline Personality Disorder

تعداد صفحه: 9

فرمت فایل: PDF

سال انتشار: 2013

زبان مقاله:‌ انگلیسی

 

 

چکیده: هدف از این مطالعه تعیین اگر بیماران مبتلا به اختلال شخصیت مرزی (BPD) ارائه پاسخ عاطفی بالاتر از افراد شاهد در محیط آزمایشگاهی بود. پنجاه نفر (35 بیمار مبتلا به BPD و 15 فرد سالم) تحت یک روش القای هیجانی منفی (ارائه تصاویر ناخوشایند استاندارد). پاسخ های عاطفی ذهنی با استفاده از پرسشنامه خود گزارش مورد بررسی قرار گرفتند در حالی که واکنش های بیولوژیکی در طی عمل را از طریق سطوح کورتیزول بزاقی (sCORT) و alphaamylase (SAA) اندازه گیری شد. بیماران مبتلا به BPD سطح قابل توجهی کورتیزول پایین تر و سطوح بالاتر SAA نسبت به گروه کنترل نشان دادند. واکنش عاطفی خود گزارش به افزایش به تفاوت بین دو گروه اما شرکت کنندگان مبتلا به BPD در ابتدا و در طول انجام پروسه را نداد سطح فعلی بالاتر از شدت احساسات منفی است. این یافته ها پشتیبانی به فرضیه hyperreactivity عاطفی در BPD نمی دهد. با این حال، بیماران BPD شدت تشدید خلق منفی در شروع مطالعه، که باید در نظر گرفته شود یک مشخصه از اختلال ارائه شده است. مطالعات بیشتر با استفاده القاء احساسات-BPD خاص مورد نیاز برای اعلام روند مشاهده شده در این مطالعه است.


دانلود با لینک مستقیم


پاسخ های احساسی به یک روند القاء احساسات منفی در اختلال شخصیت مرزی

اثر تنظیم‌کننده‌های رشد بر القاء کالوس فرنجمشک و مقایسه متابولیت‌های تولید شده در کالوس با گیاه کامل

اختصاصی از نیک فایل اثر تنظیم‌کننده‌های رشد بر القاء کالوس فرنجمشک و مقایسه متابولیت‌های تولید شده در کالوس با گیاه کامل دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

اثر تنظیم‌کننده‌های رشد بر القاء کالوس فرنجمشک و مقایسه متابولیت‌های تولید شده در کالوس با گیاه کامل


اثر تنظیم‌کننده‌های رشد بر القاء کالوس فرنجمشک و مقایسه متابولیت‌های تولید شده در کالوس با گیاه کامل

تعداد صفحات: 71

نوع فایل : ورد

چکیده:

گیاه فرنجمشک Melissa officinalis L.)) از خانواده نعناعیان و جزء گیاهان دارویی حاوی اسانس می‌باشد. به منظور تعیین شرایط بهینه القاء کالوس فرنجمشک و مقایسه متابولیت‌های ثانویه تولید شده در کالوس با گیاه کامل، آزمایشی به صورت فاکتوریل در قالب طرح کاملاً تصادفی با 3 تکرار در آزمایشگاه بیوتکنولوژی دانشگاه آزاد اسلامی واحد سبزوار انجام شد. فاکتورهای مورد بررسی شامل غلظت تنظیم‌کننده رشد NNA در سه سطح 5/0، 1 و 5/1 میلی‌گرم در لیتر و غلظت تنظیم‌کننده رشد BAP در سه سطح صفر، 1 و 5/1 میلی‌گرم در لیتر بودند. بعد از تولید مقادیر لازم از کالوس، متابولیت‌های ثانویه در کالوس و اسانس حاصل از برگ‌های گیاه کامل، توسط دستگاه GC-MS و با استفاده از تکنیک استخراج به روش میکرو از فضای فوقانی (SPME) آنالیز شد.  نتایج نشان داد که غلظت تنظیم کننده رشد NAA بر درصد کالوس­زایی و قطر کالوس تاثیر معنی­دار نداشت، اما اثر آن بر وزن تر کالوس معنی دارد بود. کلیه غلظت­های مورد استفاده NAA باعث کالوس­زایی مطلوب (100-94 درصد) در ریزنمونه­های برگ گردید که حداکثر آن در غلظت 5/1 میلی­گرم در لیتر NAA مشاهده گردید. حداکثر قطر کالوس در غلظت 5/0 میلی­گرم در لیتر مشاهده شد و افزایش غلظت NAA به 5/1 میلی­گرم در لیتر باعث کاهش قطر کالوس و افزایش وزن تر کالوس گردید. به طوری که حداکثر وزن تر کالوس در غلظت 5/1 میلی­گرم در لیتر NAA به دست آمد. اثر غلظت BAP بر درصد کالوس­زایی معنی­دار نشد، اما بر قطر کالوس و وزن تر کالوس تاثیر معنی­دار داشت. غلظت 5/0 میلی­گرم در لیتر BAP باعث افزایش معنی­دار قطر کالوس در مقایسه با شرایط عدم مصرف و غلظت 1 میلی­گرم در لیتر BAP گردید. استفاده از غلظت­های 5/0 و 1 میلی گرم در لیتر BAP باعث افزایش معنی­دار وزن تر کالوس در مقایسه تیمار شاهد شد. نتایج حاصل از آنالیز متابولیت های ثانویه نشان داد که ترکیب غیر ترپنی اولیک اسید در غلظت­های  5/0 NAA و عدم مصرف محلول BAP به مقدار 85.3% و در غلظت­های 1 NAAو 5/0BAP، 72.1% و در غلظت های 5/1 NAA و 1 BAP، 65.3% مشاهده شد که در اسانس گیاه کامل این ترکیب موجود نمی­باشد که احتمالا به دلیل تفاوت شرایط آزمایشگاهی و شرایط طبیعی کشت می­باشد.

واژگان کلیدی: درون شیشه ای (In vitro)، کالوس زایی، فرنجمشک، متابولیت های ثانویه.


دانلود با لینک مستقیم


اثر تنظیم‌کننده‌های رشد بر القاء کالوس فرنجمشک و مقایسه متابولیت‌های تولید شده در کالوس با گیاه کامل