دانلود پاورپوینت روشهای تصفیه فاضلاب صنعتی (در صنایع غذایی)

اختصاصی از نیک فایل دانلود پاورپوینت روشهای تصفیه فاضلاب صنعتی (در صنایع غذایی) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فهرست مطالب:

 تعریف فاضلاب

 انواع فاضلاب و ویژگیهای آن

 انواع روشهای تصفیه فاضلاب

 مراحل تصفیه فاضلاب

 روش انعقاد و لخته سازی

 عوامل مؤثر بر انتخاب روش تصفیه

 نتیجه گیری

 منابع

تعریف فاضلاب:

عبارتست از جریان آب زائد ناشی از مصرف آب در فعالیتهای مختلف انسانی که می تواند حاوی آلاینده های مختلف فیزیکی ، شیمیائی و بیولوژیکی بوده و با آلودگی محیط زیست، سلامت انسانهاو... را به مخاطره بیاندازد.

اهداف تصفیه فاضلاب  :

.1گرفتن مواد معلق و شناور از فاضلاب

.2اکسیداسیون مواد ناپایدار آلی موجود در فاضلاب و تبدیل آنها به مواد پایداری مانند نیترات ها ، سولفات ها و فسفاتها و سپس ته نشین سازی و جداسازی آنها

.3جداسازی مواد سمی محلول و نامحلول از فاضلاب نظیر ترکیبات فلزهای سنگین

.4گندزدائی و کشتن میکربها

انواع فاضلاب:

فاضلابهای خانگی

فاضلابهای صنعتی

فاضلابهای  سطحی

ویژگیهای خاص فاضلابهای صنعتی:

امکان وجود مواد و ترکیبات شیمیایی سمی در فاضلاب کارخانه بیشتر است

خاصیت خورندگی بیشتری دارد

خاصیت اسیدی و قلیایی زیادی دارد

امکان وجود موجودات زنده در آنها کمتر است

شامل 50 اسلاید POWERPOINT

دانلود کتاب مفتاح (باستانی و نایاب)

اختصاصی از نیک فایل دانلود کتاب مفتاح (باستانی و نایاب) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

کـتـاب مـفـتـاح_طلسـم

 مشـخـصـات کـتـاب :

تـعـداد صـفـحـه : ۲۲۵

نـوع فـایل : پـی دی اف

 ایـن کـتـاب در زمیـنه معـرفـی و شـنـاخـت  طلسـمـات دفـیـنه و سـاخـت و شکـستن طلسـمـات شـیـوه هـای ﺷـﻨﺎﺧـﺖ مـکـان دفـیـنـه  و ﺭﺍﻩ ﺣﻞ ﻫﺎ و ﺷـﯿﻮﻩﻫـﺎی ﻋﻤـﻠﯽ ﺑـﺮﺍﯼ ﺭﻣـﺰﮔﺸـﺎﯾﯽ ﻭ ﮐﺸـﻒ ﻣـﮑﺎﻥ ﻫـﺎ ﻭ ﺷـﮑﺴـﺘﻦ ﻃﻠﺴـﻤﺎﺕ ﺩﻓﯿـﻨـﻪ ﻫـﺎ ﻭ ﮔﻨـﺞ ﻫـﺎ و ﺁﻣـﻮﺯﺷﻬـﺎﯼ ﺭﻣـﻞ ﻭ ﺟـﻔـﺮ ﺩﺭ ﺍﺳﺘـﺨـﺮﺍﺝ ﺩﻓـﯿﻨـﻪ ﻫـﺎ ,ﺍﺣـﮑﺎﻡ ﻧـﻬـﺎﺩﻥ ﻭ ﺩﻓـﯿﻨـﻪ ﺑﯿـﺮﻭﻥ آﻭﺭﺩﻥ , ﺭﻭﺷـﻬـﺎﯼ ﺟـﺎﻣـﻊ ﻭ ﮐـﺎﻣـل ﻭ ﮔﻨـﺠﯿـﻨﻪ ﻫـﺎ ﺑﺎ ﺳـﺮﻣـﻪ ﻫـﺎﯼ ﻣﺨـﻔﯽ ﻭ ﺧـﺮﻭﺱ ﺳـﻔﯿـﺪ ﻭ , ﻋﻠـﻢ ﻋـﺰﺍﯾـﻢ , ﻗـﺮﺍﻃـﯿﺲ , ﺗﺴـﺨﯿﺮﺍﺕ ﻭ ﻋـﻠﻢ ﺗـﻌـﺒﯿﺮﺧـﻮﺍﺏ ﺩﺭ ﮐـﺸـﻒ ﮐـﻨـﻮﺯﺍﺕ ﻭ ﺩﻓـﺎﯾـﻦ و ﺁﺷـﻨـﺎﯾـﯽ ﺑـﺎ ﺧﺼـﻮﺻﯿﺎﺕ ﻇـﺎﻫـﺮﯼ ﻭ ﺑـﺎﻃـﻨﯽ ﻣـﻮﺟﻮﺩﺍﺕ , ﻗﻠـﻢ ﻫـﺎ ﻭ ﺧـﻄـﻮﻁ ﺳﯿـﻤـﯿﺎ ﻭ ﻃﻠـﺴﻤـﺎﺕ و.........

مقاله در مورد نیم رسانا ها

اختصاصی از نیک فایل مقاله در مورد نیم رسانا ها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه38

1   بیان ساده شده نظریه نیمرسانا

       نیمرسانا ماده ای است که مقاومت ویژه آن خیلی کمتر از مقاومت ویژه عایق و در عین حال خیلی بیشتر از مقاومت ویژه رساناست، و مقاومت ویژه اش با افزایش دما کاستی می پذیرد. مثلا، مقاومت ویژه مس 8-10اهم - متر کوا رتز1012  اهم - متر، و مقاومت ویژه مواد نیمرسانای، یعنی سیلیسیم 5/ . اهم- متر و از آن ژرمانیم 2300 اهم -متر در دمای c27 است. برای درک عملکرد نیمرسانا ها و ابزار نیمرسانا، قدری آشنایی با مفاهیم اساسی ساختار اتمی ماده ضروری است.

2   دیودهای نیمرسانا

ساختمان

       دیود نیمرسانا وسیله ای است که در مقابل عبور جریان، در یک جهت مقاومت زیاد و در جهت دیگر مقاومت کمی برو ز می دهد. دیود را به طور گستردهای و برای اهداف گوناگون در مدارهای الکترونیکی به کار می گیرند و اساساً شامل یک پیوند p-n است که از بلور سیلیسیوم و یا ژرمانیم تشکیل می شود. (شکل ب) نماد دیود نیمرسانا در شکل الف نموده شده است.

جهتی که دیود در مقابل عبور جریان مخالفت کمی بروز می دهد با سر پیکان نشان داده شده است.

        دیود نیمر سانا نسبت به دیود گرما یونی از مزایای زیادی برخوردار است، این دیود به منبع گرم کن نیاز ندارد، بسیار کوچک تر و سبک تر است ، و قابلیت اطمینان بسیار بیشتری دارد.

       ژرمانیم یا سیلیسیمی  که در ساخت دیود نیمرسانا به کار می رود باید ابتدا تا رسیدن به غلظت نا خالصی کمتر از یک جزء در 10 10 جزء پالوده شود. سپس اتمهای ناخالصی مطلوب، بخشنده ها یا پذیرنده ها، به مقادیر مورد لزوم اضافه شده و ماده به شکل یک تک بلور ساخته می شود.

       برای ساختن پولک ژرمانیم نوع n مقداری ژرمانیم ذاتی را با کمی ناخالصی در یک بوته ودر خلأ ذوب می کنند، ویک بلور هسته را تا عمق چند میلیمتری در مذاب فرو می برند. دمای ژرمانیم  مذاب درست بالای نقطه ذوب بلور هسته  قرار دارد، و چند میلیمتری از هسته غوطه ور در مذاب نیز ذوب            می شود. این هسته با سرعت ثابتی چرخانده می شود و همزمان به آرامی از مذاب بیرون کشیده می شود، بدین سان یک بلور نوع n  تشکیل شده است. با کنترل دقیق این فرایند می توان به غلظت نا خالصی مورد نیاز دست یافت.

          قرصی از ایندیم در یک پولک ژرمانیم قرار می دهند و به آن دمای با لاتر از نقطه ذوب ایندیم ولی پایین تراز نقطه ذوب ژرمانیم حرارت داده می شود. ایندیم ذوب می شود و ژرمانیم را حل می کند تا اینکه محلول اشباح شده از ژرمانیم در ایندیم به دست آید. سپس پولک به آرامی سرد می شود و در خلال سرد شدن یک ناحیه ژرمانیم نوع p در پولک تولید شده و آلیاژی از ژرمانیم و ایندیم (عمدتاً ایندیم) در پولک ته نشین می شود. پیوند p-n آلیاژ سیلیسیم را نیز می توان با همین روش و با بکارگیری آلومینیوم به عنوان پذیرنده، تشکیل داد.

تحقیق در مورد برداشتهای ژئوالکتریکی

اختصاصی از نیک فایل تحقیق در مورد برداشتهای ژئوالکتریکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه17

برداشتهای ژئوالکتریکی

پایه ی روشهای متنوع اکتشافات ژئوفیزیکی ظرفیت زمین برای تولید و پاسخ میدانهای الکتریکی است. ایده اکتشافات مواد معدنی با کمک اندازه گیری های الکتریکی در حدود سالهای دهه ی 1800 ارائه شد، اما کاربرد عملی و نتیجه بخش این روش حدود یک قرن بعد مسیر گردید.

    در تمام روش های گوناگون الکتریکی برای اکتشافات ژئوفیزیکی از عبور جریان الکتریکی در داخل زمین استفاده می گردد. تمام اجسام باعث کند شدن جریان الکتریکی می شوند، به طوری که انرژی بایستی برای حرکت ذرات مصرف شود. میزان جلوگیری اجسام در برابر عبور جریان با عنوان مقاومت ویژه الکتریکی مربوط جسم توصیف می شود. یکی از اهداف برداشتهای الکتریکی، اندازه گیری این خاصیت فیزیکی که به عنوان پایه ای برای تشخیص لایه بندی و ساختمانهای داخل زمین تلقی می شود.

    روشهای برداشت مقاومت ویژه الکتریکی که توسط ایجاد جریان مستقیم در داخل زمین در بین دهها صورت می گیرد، بهترین وسیله برای دقت روی قسمتهای مخصوص در زمین می باشد. نتایج روشها کمترین مشکل برای فهم و تفسیر خواهند داشت. بنابراین ما بحث را با روشهای جریان مستقیم اندازه گیری مقاومت ویژه آغاز خواهیم کرد.

     روش برداشت الکتریکی دیگر که پلاریزاسیون القایی نامیده شده گسترش یافته از عمل برداشت مقاومت سنجی است. ورود جریان به داخل زمین میدان الکتریکی تولید کرده که براین زمان کوتاهی بعد منبع جریان ادامه می یابد. تداوم این میدان موقتی بستگی به ظرفیت زمین برای تخلیه تمرکز بار به آمده با جریان ورودی دارد. درباره این که چگونه برداشت پلاریزاسیون القایی تداوم میدان الکتریکی، روشهای برداشت الکتریکی دیگر شکل میدانهای الکتریکی اتفاق افتاده طبیعی را آزمایش می کند.

    هدف روشهای معروف پتانسیل خودزا (sp) نقشه برداری میدانهای دایمی است که نزدیک تمرکز بار الکتریکی وجود دارد. عملیات و الکتروشیمیایی همراه با ساختمانها و ذخیره های معدنی این تمرکز را تولید کرده به طوری که ساختمان به صورت یک باطری طبیعی عمل می کند.

    گروه ژئوفیزیک سازمان زمین شناسی و اکتشافات معدنی کشور در اواخر سال 1379 به سرپرستی آقایان عامری و شاهین برای مطالعه و برداشتهای ژئوفیزیکی به روش IP  و RS  به منطقه عزیمت کردند. مأموریت در دو منطقه چاه کلپ و چاه زاغو در 3676 ایستگاه انجام شد. برداشتهای ژئوالکتریکی با آرایش مستطیلی با خط جریان 800 متری (AB = 800 m) و آرایش دو قطبی ـ دو قطبی با مشخصه AB = MN = 20 m و دو آرایش سه الکترونی (قطبی ـ دو قطبی) صورت گرفت. همچنین قریب 80 درصد ایستگاهها توسط گروه نقشه برداری سامان زمین شناسی اکتشافات معدنی کشور توسط دستگاه دیستومات، به فاصله 20 متر از یکدیگر و در سیستم UTM پیاده و برداشت گردید.

     قبل از توضیح کارهای انجام شده در  منطقه چاه کلپ، مبانی برداشتهای ژئوالکتریکی مختصرا بیان می شوند.

روش پلاریزاسیون القایی :

    اول بار در اواخر دهه 1940 روش پلاریزاسیون القایی برای اکتشاف توده های کاسنگی، بویژه برای سولفید های پراکنده ( disseminuted) مورد استفاده قرار گرفت. در دهه 1960 از این روش به طور گسترده در اکتشافات ژئوفیزیکی معدنی استفاده گردید. کزاواشلامبرگر احتمالا اولین فردی بود که وجود پلاریزاسیون القایی را گزارش کرد. وقتی که جریان الکتریکی وادار به حرکت در زمین به وسیله الکترودهای منبع و مخزن می شود ممکن است در جاهای مختلف تمرکز بارهای الکتریکی ایجاد شود. پس از قطع جریان ورودی این بارها به توزیع اولیه خود در زمین بر می گردند. در اثنای مدت زمانی که تمرکز بارها از بین می رود پتانسیل الکتریکی تداوم می یابد. این پدیده پتانسیل القایی نامیده می شود.

مقاله در مورد تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

اختصاصی از نیک فایل مقاله در مورد تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه28

نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

همانطور که در گذشته خواندید، تفاوت اساسى دوربین هاى دیجیتال با دوربین هاى اپتیکال (فیلمى) در آن بود که دوربین هاى دیجیتال فاقد فیلم بودند. این دوربین ها حاوى یک سنسور بودند که نور را به بارهاى الکتریکى تبدیل مى کردند.

 

ابعاد سنسورهاى تصویرى از ابعاد فیلم کوچک تر است. براى مثال ابعاد هر فریم از یک فیلم ۱۳۵ معمولى ۲۴ میلیمتر در ۳۶ میلیمتر است. اما سنسورى که براى ایجاد یک تصویر ۳/۱ مگاپیکسل استفاده مى شود حدوداً ۵ میلیمتر در ۷ میلیمتر است.

سنسورهاى تصویرى انواع مختلفى دارند. سنسور تصویرى که توسط اکثر دوربین هاى دیجیتال استفاده مى شود از نوع CCD (Charge Coupled Device) است. برخى دیگر از دوربین ها از سنسور CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) استفاده مى کنند. اگرچه سنسورهاى CMOS به زودى گسترش مى یابند و استفاده از آنها در دوربین هاى دیجیتال رایج تر مى شود، اما هیچگاه نمى توانند جاى سنسورهاى CCD را بگیرند.

هر سنسور CCD مجموعه اى از دیودهاى حساس به نور کوچک است که فوتون (نور) را به الکترون (بار الکتریکى) تبدیل مى کند. این دیودها که فتوسایت نامیده مى شوند، به نور حساس هستند. هر اندازه نور شدیدترى به یک فتوسایت تابیده شود، بار الکتریکى بیشترى در آن فتوسایت القاء مى شود.
سنسورهاى CMOS نیز به روش مشابهى نور را به بار الکتریکى تبدیل مى کنند. پس از این مرحله مقادیرى بار الکتریکى روى هر فتوسایت باید خوانده شود. تفاوت اساسى این دو سنسور در روش خواندن مقادیر بارهاى الکتریکى است. در سنسورهاى CCD بار الکتریکى به همان صورت وارد یک تراشه مى شود و به صورت درایه اى از درایه هاى یک ماتریس دو بعدى قابل خواندن است. سپس مقدار این درایه ها (که هنوز آنالوگ هستند) توسط یک مبدل آنالوگ به دیجیتال به اطلاعات رقمى تبدیل مى شود. در سنسورهاى CMOS هر پیکسل چندین ترانزیستور به همراه دارد که وظیفه آنها تقویت بارهاى الکتریکى در لحظه دریافت نور است. اگرچه تقویت نور توسط ترانزیستورها در هر پیکسل مستلزم وجود مدارات پیچیده ترى نسبت به سنسورهاى CCD است، اما از آنجا که تک تک پیکسل هاى این سنسورها به صورت مجزا قابل دسترسى هستند، این سنسورها از قابلیت انعطاف بیشترى برخوردارند.
براى جلوگیرى از ایجاد اعوجاج ضمن انتقال بارها در تراشه، سنسورهاى CCD به روش ویژه اى تولید مى شوند. حاصل به کار بردن این پروسه ویژه، تصاویر با کیفیت ترى از لحاظ صحت داده هاى خوانده شده و حساسیت نور است. از سوى دیگر سنسورهاى CMOS به همان روشى تولید مى شوند که اکثر تراشه ها و پردازنده هاى کامپیوترى ساخته مى شوند. ا