تحلیل اثرات تداخل جت جانبی با جریان اصلی درون نازل
خلاصه مقاله:
تقریبا هیح روشی براى در نظر گرفتن اثر تداخل پى هاى مجاور، در محاسبه ى نشست، وجود ندارد. در این پژوهش، میزان اثر تداخل سه پى نواری مجاور موازى سطحى صلب متکى بر خاک ماسه اى، در نشست الاستو پلاستیک یکدیگر، به طور تقریبى برآورد شده است. این کار توسط مدل سازى عددی توسط نرم افزار رایانه اى اجزاء محدود پلکسیس، با در نظر گرفتن مدل رفتارى مور-کلمب براى خاک، انجام گردیده است، همچنین پى هاى مجاور، به طور نموى و مساوى و همزمان، بارگذاری شده اند. از نتایج این پژوهش مى توان به، ناچیز شدن اثر تداخل سه پى نواری مجاور در فاصله ى لب به لب 5 برابر عرض پى؛ و افزایش حدوداً 20 درصدى میزان نشست الاستو پلاستیک سه پى نواری مجاور، نسبت به پى نواری تنهاى همسان، اشاره کرد، که در نظر نگرفتن این افزایش نشست الاستو پلاستیک مى تواند منجر به نتایج فاجعه بارى گردد. نتایج این پژوهش، جهت اصلاح مقادیر نشست الاستو پلاستیک محاسبه شده توسط روش هاى رایج کنونى برآورد نشست الاستو پلاستیک پى ها، قابل استفاده مى باشد (البته تنها براى سه پى مجاور نواری سطحى نزدیک به هم)
نشست الاستوپلاستیک ، ضریب تداخل نشست ، سه پی نواری مجاور ، پلکسیس ، مورکلمب
تقریبا هیح روشی براى در نظر گرفتن اثر تداخل پى هاى مجاور، در محاسبه ى نشست، وجود ندارد. در این پژوهش، میزان اثر تداخل سه پى نواری مجاور موازى سطحى صلب متکى بر خاک ماسه اى، در نشست الاستو پلاستیک یکدیگر، به طور تقریبى برآورد شده است. این کار توسط مدل سازى عددی توسط نرم افزار رایانه اى اجزاء محدود پلکسیس، با در نظر گرفتن مدل رفتارى مور-کلمب براى خاک، انجام گردیده است، همچنین پى هاى مجاور، به طور نموى و مساوى و همزمان، بارگذاری شده اند. از نتایج این پژوهش مى توان به، ناچیز شدن اثر تداخل سه پى نواری مجاور در فاصله ى لب به لب 5 برابر عرض پى؛ و افزایش حدوداً 20 درصدى میزان نشست الاستو پلاستیک سه پى نواری مجاور، نسبت به پى نواری تنهاى همسان، اشاره کرد، که در نظر نگرفتن این افزایش نشست الاستو پلاستیک مى تواند منجر به نتایج فاجعه بارى گردد. نتایج این پژوهش، جهت اصلاح مقادیر نشست الاستو پلاستیک محاسبه شده توسط روش هاى رایج کنونى برآورد نشست الاستو پلاستیک پى ها، قابل استفاده مى باشد (البته تنها براى سه پى مجاور نواری سطحى نزدیک به هم).
سال انتشار: 1392
تعداد صفحات: 10
فرمت فایل: pdf
مقدمه :
تصوری که بیشتر افراد از سیستم های دیجیتالی دارند این است که این سیستمها در برابر نویز مصونیت ایده آل دارند .
گرچه این نوع از سیستمها به خاطر حاشیه نویز ، در مقایسه با مدارهای آنالوگ حساسیت کمتری نسبت به نویز دارند ، با این حال اثرات نویز الکتریکی را نمی توان نادیده گرفت .
پرشهای خطوط سیگنال ، اتصالات زمین ، سوئیچهای تغذیه ، موتورها ، لامپهای فلورسنت و … سبب آشفتگی در کار مدارهای دیجیتالی می شوند . در فاز طراحی سیستمهای دیجیتالی با مسایل مربوط به نویز مواجه نمی شویم . پس از اینکه سیستم در محیط کار قرار گرفت اصرات نویز نمود پیدا می کند که در آن موقع تغییر و اصلاح طرح سخت افزار پر هزینه است .0000 000
هدف از ارائه این سمینار برررسی بعضی از نویزهای الکتریکی و محیطهای نویزی می باشد . پس از آن راه حلهای مناسبی برای جلوگیری از ایجاد نویز توسط مدارهای دیجیتالی و همچنین کاهش اثرپذیری نویزی پیشنهاد می شود .
ترتیب مباحث این گزارش بدین صورت است که : در فصل اول مفاهیم سازگاری و تداخل الکترومغناطیسی توضیح داده می شود . فصل دوم اختصاص به تشعشع در مدارهای دیجیتالی و راههای کنترل آن دارد . فصل سوم شیلدینگ ، فصل چهارم مربوط به نویز زمین و روشهای حذف آن بحث می شود. در فصل پنچم دی کوپلینگ توضیح داده می شود . امیدوارم که این گزارش مورد استفاده دانشجویان محترم و سایر علاقمندان قرار بگیرد .
سازگاری و تداخل الکترو مغناطیسی :
1-1 مقدمه :
هر دستگاه الکتریکی یا الکترونیکی که موجب تغییر ولتاژ یا جریان شود یک منبع تداخل الکترومعناطیسی محسوب می شود .
تداخل از دو راه به مدار اعمال می شود ، هدایت از طریق کابل و تشعشع الکترومعناطیسی . در این فصل منابع EMI و مفاهیم تکنیکی سازگاری الکترومعناطیسی مورد بحث قرار می گیرد .
2-1 سازگاری و تداخل الکترومغناطیسی :
سازگاری الکترومغناطیسی (1)(EMC) : توانایی یک دستگاه ، وسیله یا سیستم با عملکرد رضایت بخش در محیط الکترومغناطیسی است بدون اینکه سبب کاهش کیفیت محیطهای الکترومغناطیسی مورد نظر شود .
به عبارت دیگر EMC آن وضعیت مطلوبی است که از سیستم انتظار داریم و علاوه بر آن سیستم نباید روی عملکرد هر سیستم یا وسیله دیگر اثر بگذارد یا از آنها اثر بپذیرد .
- تداخل الکترومغناطیسی (EMI) : نوعی آلودگی محیطی همانند آلودگی های شیمیایی ، صنعتی و سایر دشارژهای محیطی است که سبب می شود ولتاژها وجریانهای ناخواسته ای در مدارهای تاثیر پذیر به وجود آید .
64 صفحه فایل ورد قابل ویرایش
فهرست مطالب:
فصل اول : سازگاری و تداخل الکترو مغناطیسی
مقدمه 1
سازگاری و تداخل الکترومغناطیسی 3
منابع تداخلی طبیعی و منابع تداخلی ساخت بشر 4
منابع تداخلی پیوسته و گذرا 8
تداخل درون سیستم و تداخل بین سیستمها 9
منابع تداخل هدایتی و تشعشعی 11
فصل دوم :
مقدمه 14
تشعشع مود تفاضلی 14
کنترل تشعشع مود – تفاضلی 21
تشعشع مود – مشترک 23
کنترل تشعشع مود – مشترک 26
تولید کلاک طیف گسترده 27
ضرورت استفاده از کلاک طیف گسترده 28
مدولاسیون فرکانس روی کلاک سیستم 29
فصل سوم : شیلدینگ
مقدمه 33
شیلدینگ خازنی 33
شیلدینگ القایی 36
کابل کواکسیال 37
جفت سیم به هم تابیده 39
کابل روبان 40
شیلدینگ RF 41
فصل چهارم : زمین
مقدمه 46
نویز زمین 47
انتخاب زمین 49
زمین اطمینان 50
زمین سیگنال 51
زمین عملی 54
کابل بافته شده 56
ملاحظات انتخاب زمین 57
فصل پنجم : دی کوپلینگ
بی ثباتی تغذیه 59
خازن دی کوپلینگ 61
نوع خازن دی کوئپلینگ و مقدار آن 63
تثبیت ولتاژ روی برد 65
دی کوپلینگ باس تغذیه بر روی بردهای چند لایه 66