تعیین مشخصه ها و مدل سازی کانال UWB در داخل ساختمان

اختصاصی از نیک فایل تعیین مشخصه ها و مدل سازی کانال UWB در داخل ساختمان دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده

در سال های اخیر سیستم های فوق باند وسیع (فرا پهن باند) به دلیل مزیت های بسیاری که در مقایسه با سایر سیستم های مخابراتی دارد، مورد توجه قرار گرفته است. کمیسیون مخابرات فدرال پهنای باند 3/1GHz تا 10/6GHz را به سیستم های فوق باند وسیع اختصاص داده است. به منظور استفاده بهینه از این پهنای باند، شناخت دقیق کانال UWB ضروری است. سیگنال های UWB متشکل از یک سری پالس های فوق کوتاه با چگالی طیفی توان کم است. بنابراین سیگنال دریافتی ترکیبی از مولفه های چند مسیری است که شکل تخریب شده ای نسبت به سیگنال ارسالی دارد. این مولفه های چند مسیری متفاوت، به وسیله تأخیر، فاز و دامنه های مختلفی مشخص می شوند که مدل کردن این سه پارامتر توصیف کننده چند مسیری (یعنی تأخیر، فاز و دامنه)، همان مدل کردن کانال است. دستیابی به مدل دقیقی از کانال لازمه طراحی این گونه سیستم ها است. در این تحقیق با استفاده از الگوریتم کلین پاسخ کانال را از داده های حاصل از آزمایش تجربی استخراج نموده ایم. سپس تابع توزیع تجمعی سه پارامتر کلیدی کانال را برای این داده ها، مدل شناخته شده S-V، مدل دو دسته ای و مدل دو دسته ای اصلاح شده به دست می آوریم. سرانجام توابع توزیع تجمعی به دست آمده برای سه مدل را با یکدیگر مقایسه نموده و خواهیم دید که توابع توزیع تجمعی مربوط به مدل دو دسته ای اصلاح شده نسبت به مدل S-V و مدل دو دسته ای در حالت داخل ساختمان، که فرستنده و گیرنده در دید مستقیم هم قرار دارند، به توابع توزیع تجمعی حاصل از مقادیر آزمایش تجربی نزدیک تر است به گونه ای که در مدل دو دسته ای اصلاح شده، خطای نسبی متوسط پارامترهای تأخیر اضافی میانگین و گسترده تأخیر موثر و “NP10dB” در قیاس با مدل دو دسته ای به ترتیب 4/2 درصد، 0/45 درصد، 14/11 درصد و در مقایسه با مدل S-V به ترتیب 9/5 درصد، 6/96 درصد و 14/38 درصد کاهش می یابد و در نتیجه پاسخ ضربه مدل دو دسته ای اصلاح شده برای توصیف کانال سیستم های فوق باند وسیع در حالت LOS نسبت به مدل S-V و مدل دو دسته ای مناسب تر است.

مقدمه

محیط انتشاری که سیگنال از فرستنده تا گیرنده از آن می گذرد، کانال نامیده می شود. هرچه این محیط دقیق تر شناخته شود، بهتر می توان سیستم را طراحی کرد و در نتیجه به عملکرد مناسبتری رسید.

محیط انتشار سیستم های UWB معمولا محیط داخل ساختمان و شلوغ است و در نتیجه سیگنال ارسالی در این کانال مانند سایر کانال های بی سیم از مسیرهای مختلفی به گیرنده می رسد که بر این اساس با پدیده چند مسیری روبرو می شود. اگر یک تک پالس به کانال دارای فیدینگ وارد شود، قطاری از پالس از آن خارج خواهد شد که هرکدام یک مولفه چند مسیری است. اگر تأخیر زمانی بین مولفه ها از عکس پهنای باند کانال بزرگتر باشد، مولفه ها قابل تفکیک اند. پهنای باند وسیع سیستم های UWB به گیرنده این امکان را می دهد که مولفه های مختلف را از هم تفکیک کند.

یکی از پارامترهای مهم کانال دارای فیدینگ، مجموع تأخیر انتشار آن است که تعریف آن اختلاف بین اولین و آخرین پالس دریافتی از کانال در اثر تحریک تک پالس است. پاسخ ضربه کانال به طور تصادفی با زمان تغییر می کند. بنابراین تأخیر کانال هم متغیری تصادفی است. یکی دیگر از پارامترهای توصیف کانال پروفایل توان تأخیر است. از روی این پروفایل پارامترهای کلیدی: تأخیر اضافی میانگین و گستره تأخیر موثر و “NP10dB” به دست می آید. مدل های مختلفی برای توصیف کانال سیستم های فوق باند وسیع پیشنهاد شده است که کمیته “IEEE 802.15.3a” پس از بررسی آنها و مقایسه با اندازه گیری های انجام شده در مولد این کانال، مدلی که اولین بار توسط “Saleh-Valenzuela” معرفی شده را پذیرفته است. مدل ارایه شده در این تحقیق مانند اکثر کارهای انجام شده در مقالات براساس همان تعریف مدل S-V از کانال سیستم های فوق باند وسیع با پاره ای از تغییرات است. در این تحقیق با تمرکز برای حالت LOS و در داخل ساختمان به دنبال آن هستیم تا هم دقت را بهبود بخشیم و هم برخی نقص های مدل S-V را کم اثر کنیم.

در فصل اول در مورد کانال سیستم های فوق باند وسیع و چند نمونه از کارهایی که در این مورد انجام شده است بحث می شود بعد از آن تعریف و ضرورت پروژه توضیح داده خواهد شد. در بخش اول از فصل دوم در مورد تئوری سیستم های فوق باند وسیع، شامل سیگنال دهی، طراحی موج با طیف خاص، روش های مدولاسیون بحث می شود و نیز اشاره ای به فرستنده، گیرنده، روش های دستیابی چندگانه و تداخل در این سیستم ها می شود. بخش دوم از این فصل به کانال سیستم های فوق باند وسیع اختصاص دارد. فصل سوم درباره شرایط اندازه گیری، شرح و شبیه سازی الگوریتم کلین برای استخراج پاسخ کانال از مقادیر اندازه گیری شده و تحقق مدل S-V است. در چهارمین فصل از مدل دو دسته ای و اصلاح آن و شبیه سازی های مربوط به آنها و مقایسه آنها با مدل S-V سخن می گوییم. سرانجام در آخرین فصل به نتیجه گیری و ارایه پیشنهادات می پردازیم. خاطرنشان می شود که تمام شبیه سازی ها در محیط “MATLAB” انجام شده است.

تعداد صفحه : 116

پایان نامه ساخت و مشخصه یابی سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی کادمیم سولفید با استفاده از کاتد گرافن

اختصاصی از نیک فایل پایان نامه ساخت و مشخصه یابی سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی کادمیم سولفید با استفاده از کاتد گرافن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل : WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات:99

پایان‌نامه دوره کارشناسی ارشد فیزیک-حالت جامد

فهرست مطالب:
عنوان    صفحه

فهرست جدول‌ها    ‌د
فهرست شکل‌‌ها    ‌ه
پیشگفتار..    1
فصل 1-    مقدمه و سلولهای خورشیدی حساس شده با رنگدانه    3
1-1-    مقدمه..    .............................3
1-2-    سلول های خورشیدی رنگدانه ای و ساختار کلی آن ها    5
1-2-1-فتوآند.......    6
1-2-2-الکترولیت اکسایشی – کاهشی    7
1-2-3-الکترود کاتد    8
1-2-4-مکانیسم انتقال بار در سلولهای حساس شده با رنگدانه    8
1-2-5- فرآیند های تزریق، انتقال و بازترکیب در سلولهای رنگدانهای    9
1-3-    نتیجهگیری    10
فصل 2-    سلولهای خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی و مروری بر پیشینه تحقیقات...........    12
2-1-    مقدمه..    12
2-2-    مفهوم نقاط کوانتومی    12
2-3-    عوامل کاهش بازده در سلولهی خورشیدی تک پیوند    13
2-4-    رویکردهای متفاوت با بهره گرفتن از ویژگیهای نقاط کوانتومی در طراحیQDSSCs    13
2-4-1-تنظیم گاف انرژی در نقاط کوانتومی    14
2-4-2-اثر حاملهای داغ    15
2-4-3-تولید چندین جفت الکترون-حفره (اکسایتون)    17
2-4-4-سلولهای خورشیدی با نوار میانی    18
2-5-    سلولهای خورشیدی بر پایهی نقاط کوانتومی (QDSSCs)    19
2-5-1-ساختار و اصول عملکرد سلول های خورشیدی بر پایهی نقاط کوانتومی    20
2-5-2-اجزای مختلف سلول خورشیدی بر پایه نقاط کوانتومی    21
2-5-2-1-الکترود آند...............................    21
2-5-2-2-نقاط کوانتومی به عنوان حساس کننده و جاذب نور    22
2-5-2-3-الکترولیت اکسایشی کاهشی پلی سولفید    24
2-5-2-4-الکترود مقابل..........................    25
2-5-3-برهمکنشهای انتقال و عبور الکترون-حفره در سلول های خورشیدی بر پایه نقاط کوانتومی    26
2-6-    مقایسهی سلولهای خورشیدی حساس شده با رنگدانه و نقاط کوانتومی    28
2-6-1-تفاوتهای ساختاری  و زمان انتقال بار در DSSCs و SSSCs    29
2-7-    مروری بر نقاط کوانتومی به کار برده شده در QDSSCs به عنوان حساس کننده    34
2-8-    مروری بر کاتدهای به کار برده شده در QDSSCs    37
2-9-    نتیجهگیری    38
فصل 3-    ساخت و  روش های مشخصه یابی سلول های حساس شده با نقاط کوانتومی    41
3-1-    مقدمه..    41
3-2-    مواد و تجهیزات مورد نیاز    41
3-2-1-مواد اولیه    41
3-2-2-تجهیزات مورد استفاده در فرایند ساخت    42
3-3-    ساختارکلی سلول های حساس شده با نقاط کوانتومی    43
3-3-1-آماده سازی فوتوآند    44
3-3-1-1- شستشوی زیرلایه........    44
3-3-1-2-لایه نشانی خمیر نانوذرهای TiO2  به روش دکتر بلید    45
3-3-1-3-پخت حرارتی در کوره...........    47
3-3-1-4-حساسسازی فوتوآند با نقاط کوانتومی کادمیوم سولفید به روش سیلار (SILAR)    47
3-3-1-5-ساخت نقاط کوانتومی CdSe  و حساسسازی آند به روش حمام شیمیایی(CBD)    49
3-3-2-آمادهسازی الکترود کاتد    52
3-3-2-1-ساخت کاتد نوع اول از جنسCuS    53
3-3-2-2-ساخت کاتد نوع دوم از جنس PbS    53
3-3-2-3-ساخت کاتد نوع سوم از جنس مس سولفید/ سرب سولفید و سرب سولفید/مس سولفید    54
3-3-2-4-ساخت کاتد با لایه نشانی پی در پی CuS/PbS…  به روش سیلار    54
3-3-3-ساخت الکترولیت پلی سولفید برای سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی    55
3-3-4- بستن سلول های QDSSCs    55
3-4-    روش های مشخصه یابی فوتوولتایی سلول های خورشیدی نقطه کوانتومی    57
3-4-1-اندازه گیری منحنی های ولتاژ – جریان    57
3-4-1-1-اندازه گیری منحنی های ولتاژ-جریان در روشنایی    57
3-4-1-2-اندازه گیری بازدهی تبدیل انرژی خورشیدی به الکتریکی و فاکتور کارکرد سلول    57
3-4-1-3-اندازه گیری منحنی های ولتاژ-جریان در تاریکی    58
3-4-2-اندازه گیری افت ولتاژ سلول با زمان    58
3-4-3-طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی (EIS)    60
فصل 4-    تحلیل و نتایج مشخصه یابی سلول های ساخته شده    64
4-1-مقدمه    64
4-2- آنالیز میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) نانو ذرات تیتانیوم اکسید    64
4-3-طیف جذب و عبور آند ها    67
4-4- مشخصه یابی کاتد ها به روش SEM    68
4-5- مشخصات فوتوولتایی سلول های ساخته شده بر پایه کاتدهای مختلف    71
4-6- بررسی اثر افزایش تعداد سیکل های سیلار در ساخت کاتد های نانو کامپوزیتی    76
4-7-آنالیز امپدانس الکتروشیمیایی    79
4-7- بررسی گرافن به عنوان کاتد در QDSSCs    81
4-7-1-ساخت کاتد با پوشش گرافن و کامپوزیت آن با سرب سولفید    81
4-7-2-بررسی مشخصه های فوتوولتایی سلول ها با کاتد گرافن / سرب سولفید    82
4-7-3-ساختار ترکیبی گرافن با دیگر ساختار های نانو کامپوزیتی به عنوان کاتد    83
4-8-مقایسه ی کاتد های نانوکامپوزیتی با کاتد های ترکیبی باگرافن    87
فصل 5-    نتیجهگیری و پیشنهادات    93
5-1-    جمع بندی و نتیجهگیری    93
5-2-    پیشنهادات    94
مقالات ارائه شده    95
فهرست مراجع    96
 
فهرست جدول‌ها
عنوان    صفحه
جدول ‏2 1 .نقاط کوانتومی مختلف به عنوان حساسکننده در QDSSCs     35
جدول ‏2 2 . خلاصهای از QDSSCs بر پایهی کاتدهای مختلف.    37
جدول ‏3 1 .مواد اولیه استفاده شده در تحقیق    41
جدول ‏4 1 . مشخصات فوتوولتایی سلولهای ساخته شده با کاتدهای مختلف.    73
جدول ‏4 2. مشخصات فوتولتایی سلول ها با کاتد های نانو کامپوزیتی با تعداد مختلف سیکل سیلار    74
جدول ‏4 3. مشخصات فتوولتایی سلول های ساخته شده با افزایش تعداد سیکل های سیلار کاتدهای نانو کامپوزیتی مس سولفید / سرب سولفید    76
جدول ‏4 4 . مقاومت سری (Rs) و مقامت انتقال بار (Rct) از کاتد به الکترولیت که از آنالیز EIS اندازهگیری شد.    79
جدول ‏4 5 . مشخصات فوتوولتایی سلول های ساخته شده با کاتد گرافن/سرب سولفید باافزایش تعداد دفعات لایه نشانی چرخشی گرافن    82
جدول ‏4 6. مشخصات فوتوولتایی سلول های ساخته شده بر پایه کاتد گرافن و ترکیب گرافن با دیگر نانوکامپوزیت ها    84
جدول ‏4 7. مشخصات فوتولتایی سلول های ساخته شده با کاتد های نانو کامپوزیتی و ترکیب این کاتد ها با گرافن    88

فهرست شکل‌‌ها
عنوان    صفحه
شکل ‏1 1 . طرحوارهای از(a): یک سلولخورشیدی رنگدانهای، (b):دیاگرام انرژی در یک DSSC................5
شکل ‏1 2 . طرحواره ای از فرایندهای انتقال و بازترکیب در سلولهای خورشیدی رنگدانه ای    9
شکل ‏2 1 . نمودار شماتیک انرژی نانو ذره که بین حالت مولکولی و ماده توده نیمهرسانا است.    13
شکل ‏2 2 .(A): تصویر ساختار CdSexS1-x در سلولهای پشت سرهم. (B): نمودار گاف انرژی که نشان میدهد، گافهای انرژی برای بهبود بخشیدن در انتقال بار  به صورت آبشاری کنارهم قرار گرفتند. (C) طیف جذب ساختارهایی با نسبتهای متفاوت Se/S و تأثیر این نسبتها بر روی گاف انرژی نقاط کوانتومی    15
شکل ‏2 3 . واهلش/سرد شدن حاملهای داغ در نیمههادیها و تبدیل انرژی جنبشی حامل به گرما از طریق گسیل فونون    16
شکل ‏2 4 . تولید چندین جفت الکترون-حفره (MEG) در نقاط کوانتومی به وسیله یونیزاسیون مؤثر    18
شکل ‏2 5 . وابستگی گاف انرژی نقاط کوانتومی به اندازه ی آن ها.    19
شکل ‏2 6 .شمای کلی QDSSCs و نحوهی عملکرد آنها    20
شکل ‏2 7 . تصویر FE-SEM مربوط به نانوذرات  20 نانومتری دی اکسید تیتانیوم بر روی زیر لایهی FTO    21
شکل ‏2 8 . دو روش جذب مستقیم و جذب به واسطهی مولکول اتصال دهنده  .    23
شکل ‏2 9  .روش لایه نشانی سیلار به صورت شماتیک.    24
شکل ‏2 10 . زمان انتقال بار برای DSSCs (نمودار بالایی) و برای SSSCs (نمودار پایینی) را نشان میدهد.    29
شکل ‏2 11 . انتقال بار از یک بلور نیمههادی برانگیخته به یک ذرهی اکسیدی (A). دو ذرهی بلور نیمههادی متصل که تنها یکی از آنها به لایهی اکسیدی متصل است و تولید بار در بلوری که به لایه اکسیدی متصل نیست اتفاق میافتد (B)    32
شکل ‏2 12 . منحنی بازدهی تولید جریان از تابش فوتون فرودی (IPCE) برای لایههای TiO2 حساس شده با CdS ، که هر بار پوشش شامل غوطه ور کردن TiO2 در پیش ماده Cd2+ و شستشو با آب و فروبردن در محلول آبی سولفیدی و شستشو دوباره میباشد.    33
شکل ‏2 13 . منحنی IPCE لایهی ZnO/CdSe به ازای دمای مختلف پخت حرارتی (a). طیف XRD الکترودهای ZnO/CdSe  برحسب دمای پخت حرارتی که C و H در شکل نشان دهندهی فاز مکعبی و هگزاگونال CdSe میباشد(b)    34
شکل ‏3 1  شمای کلی سلول خورشیدی بر پایه نانو ذزات تیتانیوم اکسید حساس شده با نقاط کوانتومی کادمیوم سولفید و کادمیوم سلنید    44
شکل ‏3 2 روش پوشش دهی چسب اسکاچ  بر روی FTO جهت لایه نشانی به روش دکتر بلید    46
شکل ‏3 3 روش دکتر بلید نانو ذرات TiO2    46
شکل ‏3 4  نحوه ی انجام روش سیلار برای لایهنشانی نانوذرات کادمیوم سولفید    48
شکل ‏3 5 رنگ لایه ها بعد از لایه نشانی کادمیوم سولفید    49
شکل ‏3 6 نحوهی آماده شدن پیش مادهی سلنیوم درون حمام آب    49
شکل ‏3 7 تصویر تغییر رنگ پیش ماده سلنیوم به محلولی بی رنگ    50
شکل ‏3 8 لایه های CdS  درون پیش ماده سلنیوم قرار گرفت    51
شکل ‏3 9 روش سیلار برای لایه نشانی لایه روی سولفید بر روی آندها را نشان میدهد    52
شکل ‏3 10 تغییر رنگ در اثر لایه نشانی روی سولفید را نشان می دهد    52
شکل ‏3 11 نحوی سیلار پی در پی مس سولفید و سرب سولفید    54
شکل ‏3 12.نحوه ی ساخت الکترولیت پلی سولفید    55
شکل ‏3 13 سلول خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی CdS و CdSe    56
شکل ‏3 14 منحنی جریان – ولتاژ    57
شکل ‏3 15. مدار الکتریکی معادل مورد استفاده در مدل کردن امپدانس سلول های خورشیدی    61
شکل ‏3 16. نمودار امپدانس    61
شکل ‏4 1 .تصویر SEM از نانوذرات تیتانیوم اکسید شفاف که بر روی FTO لایه نشانی شده است.    65
شکل ‏4 2 . تصویر SEM  نانو ذرات TiO2  شفاف که با نقاط کوانتومی کادمیوم سولفید / کادمیوم سلناید /روی سولفید حساس شدهاند.    65
شکل ‏4 3  . تصویر SEM از الکترود آند شامل 2  لایه نانوذرات TiO2  و یک لایه نانوذرات با ابعاد 250-400  نانومتری TiO2 که به روش دکتر بلید روی FTO لایه نشانی شدند و نقاط کوانتومی کادمیوم سولفید / کادمیوم سلناید / روی سولفید که روی سطح این ذرات جذب شدند.    66
شکل ‏4 4 . نمودار طیف عبوری لایههای TiO2 ، TiO2/CdS و TiO2/CdS/CdSe/ZnS که بر روی FTO را نشانده شده اند.    67
شکل ‏4 5 . تصویر SEM از لایه ی مس سولفید که با پوشش 6 دوره سیلار بر روی FTO لایه نشانی شده است.    68
شکل ‏4 6 . تصویر SEM از لایهی سرب سولفید که با پوشش 6 دوره سیلار بر روی FTO لایه نشانی شده است.    69
شکل ‏4 7 . تصویر SEM از  لایه نانوکامپوزیتی    CuS/PbS/…/CUS/PbS  با 8 دوره لایه نشانی پی در پی به روش سیلار بر روی FTO لایه نشانی شده است.    70
شکل ‏4 8 . شمای کلی از 5 نوع کاتد ساخته شده را نشان میدهد.    72
شکل ‏4 9. منحنی جریان – ولتاژ سلول ها با کاتدهای متفاوت مس سولفید و سرب سولفید و نانو کامپوزیت این کاتدها    72
شکل ‏4 10 . منحنی جریان – ولتاژ سلول ها با کاتدهای متفاوت مس سولفید ، سرب سولفید و نانوکامپوزیت های آن ها در تاریکی    74
شکل ‏4 11 . منحنی جریان – ولتاژ سلول های ساخته شده با کاتدهای نانو کامپوزیتی مس سولفید /سرب سولفید با تعداد سیکل سیلار مختلف    75
شکل ‏4 12 . منحنی جریان – ولتاژ در تاریکی سلول های ساخته شده از کاتدهای نانو کامپوزیتی مس سولفید/ سرب سولفید در تعداد سیکل های سیلار مختلف    75
شکل ‏4 13 . منحنی جریان – ولتاژ (در روشنایی) سلول های ساخته شده با افزایش تعداد سیکل های سیلار کاتد های نانو کامپوزیتی    77
شکل ‏4 14 . منحنی جریان – ولتاژ (در تاریکی) سلول های ساخته شده با افزایش تعداد سیکل های سیلار کاتد های نانو کامپوزیتی    78
شکل ‏4 15 . منحنی افت ولتاژ مدار باز  با زمان (در روشنایی) سلول های ساخته شده با افزایش تعداد سیکل های سیلار کاتد های نانو کامپوزیتی    78
شکل ‏4 16 . نمودار نوعی که در آنالیز امپدانس سلول با آن مدل شده است.    79
شکل ‏4 17 . منحنی جریان – ولتاژ تاریک و بررسی اثر کاتدهای ترکیبی    80
شکل ‏4 18  . منحنی جریان-ولتاژ در روشنایی سلول های ساخته شده با کاتد گرافن/سرب سولفید باافزایش تعداد دفعات لایه نشانی چرخشی گرافن    82
شکل ‏4 19 . منحنی جریان – ولتاژ در روشنایی سلول های ساخته شده بر پایه کاتد گرافن و ترکیب گرافن با دیگر نانوکامپوزیت ها    85
شکل ‏4 20 . منحنی جریان – ولتاژ در تاریکی سلول های ساخته شده بر پایه کاتد گرافن و ترکیب گرافن با دیگر نانوکامپوزیت ها    86
شکل ‏4 21 . منحنی افت ولتاژ مدار باز  با زمان در روشنایی سلول های ساخته شده بر پایه کاتد گرافن و ترکیب گرافن با دیگر نانوکامپوزیت ها    87
شکل ‏4 22    . منحنی جریان – ولتاژ (در روشنایی )سلول های ساخته شده با کاتد های نانو کامپوزیتی و ترکیب این کاتد ها با گرافن    89
شکل ‏4 23 . منحنی جریان – ولتاژ (در تاریکی )سلول های ساخته شده با کاتد های نانو کامپوزیتی و ترکیب این کاتد ها با گرافن.    90
شکل ‏4 24 . منحنی افت ولتاژ مدار باز در زمان  برای سلول های ساخته شده با کاتد های نانو کامپوزیتی و ترکیب این کاتد ها با گرافن    91
 

چکیده
در این تحقیق به ساخت ومشخصهیابی سلولهای خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی کادمیوم سولفید و کادمیوم سلنید با استفاده از کاتدهای مختلف از جمله مس سولفید و سرب سولفید و کاتدهای نانوکامپوزیتی با پوششهای پیدرپی از این دو ماده پرداخته میشود. در این پایان نامه به دنبال بهینه کردن مشخصات فوتوولتایی این سلولها بوده  با توجه به پایین بودن فاکتور کارکرد در این سلولها و بررسی عوامل بازترکیب با توجه به آنالیز امپدانس الکتروشیمیایی این سلولها ، با معرفی کاتدهای مؤثر به دنبال افزایش این مشخصه میباشیم. با بهرهگیری از ساختارهای پیدرپی و ترکیبی مس سولفید و سرب سولفید که به روش سیلار لایه نشانی شدند بازدهی این سلولها تا بیش از 3 برابر نسبت به سلولهایی که کاتد آنها مس سولفید یا سرب سولفید است افزایش یافته است یعنی 63/3 % در مقابل 4/0 % و 48/1 %. همچنین فاکتور کارکرد در کاتدهای نانوکامپوزیتی مس سولفید/سرب سولفید/.../مس سولفید/سرب سولفید 2 برابر شده است یعنی 49/0 در مقابل 26/0. به علاوه با بررسی خواص فوتوولتائیک سلولهای خورشیدی به تحلیل کارکرد کاتد گرافن در این سلولها میپردازیم. در این تحقیق از صفحات گرافنی به دلیل دارا بودن ساختار دو بعدی و سطح مؤثر بالا و همچنین رسانایی الکتریکی مناسب و ترکیب آن با مس سولفید/سرب سولفید به منظور افزایش خواص فوتوولتائیک و بازدهی سلولها استفاده شده است. در این جا گرافن به دلیل سطح مؤثر زیادی که فراهم میکند در کاتدهای ترکیبی به عنوان بستری مناسب برای لایهنشانی مس سولفید و سرب سولفید بر روی آن به کار گرفته شده است و بازدهی را از 54/2 % تا 21/3 % افزایش داده است.  

کلید واژه: سلول خورشیدی، نقاط کوانتومی، نانو کامپوزیت ، سیلار ، گرافن

پیشگفتار
در این تحقیق به ساخت و مشخصه یابی سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی پرداخته شده است. برای ساخت آند در این سلول ها معمولاً از نانوذرات تیتانیوم اکسید(TiO2) استفاده می شود که بر روی زیر لایههای شفاف و رسانای اکسید قلع آلاییده شده با فلوئور  پوشش داده میشوند. در این جا جهت حساسسازی فوتوآندها از نقاط کوانتومی کادمیوم سولفید و کادمیوم سلنید استفاده میشود. تا به حال کاتدهای مختلفی برای این سلول ها به کار رفته است. در این پژوهش به بررسی کاتدهای مس سولفید و سرب سولفید و مقایسهی آنها پرداخته شده است و بعد از آن روشی جدید تحت عنوان روش لایه نشانی دورهای برای ساخت نانو کامپوزیت مس سولفید/سرب سولفید به عنوان کاتدی مؤثر در سلولهای خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی با بازدهی بالا معرفی شده است. در این روش کاتدها به روش پوشش پی در پی لایه های مس سولفید و سرب سولفید بر روی شیشههای FTO با روش جذب و واکنش پی در پی یونی (سیلار )  ساخته شدند. با استفاده از کاتد نانو کامپوزیتی مس سولفید/سرب سولفید بازدهی نسبتاً خوبی برای این سلولها به دست آمد که این بازدهی قابل قیاس با کاتد موثر و بهینه شده مس سولفید در سلولهای خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی میباشد.خواص فوتوولتایی این سلولها مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج بررسیها نشان داد که بازدهی این سلولها در مقایسه با کاتدهای مس سولفید و سرب سولفید به ترتیب بیش از2 و 3 برابر افزایش یافته است. پس از معرفی این روش به عنوان روشی نوین در ساخت کاتدهای نانو کامپوزیتی به بهینه کردن این کاتدها و بهینه کردن تعداد سیکلهای سیلار مس سولفید/سرب سولفید پرداخته شده است. در ادامه به منظور افزایش بازدهی و بهینه کردن عملکرد این سلول ها صفحات گرافن نیز به عنوان کاتد مورد استفاده قرار گرفت ،صفحات گرافنی به علت دارا بودن ساختار دو بعدی دارای سطح موثر بالا هستند. گرافن همچنین دارای رسانایی الکتریکی قابل مقایسه با فلزات میباشد. با توجه به سطح موثر مناسب و رسانایی قابل توجه، انتظار میرود کاتدهای متشکل از صفحات گرافنی، خواص کاتالیستی مناسبی در حضور الکترولیت مورد استفاده در سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی نشان دهند. بنابراین با توجه به مزایای ذکر شده برای گرافن؛ در این پژوهش به بررسی خواص فوتوولتائیک این سلول ها و تحلیل کارکرد گرافن به عنوان کاتد در این سلولها پرداخته شده است. همچنین نتایج مناسبی که از کاتدهای نانوکامپوزیتی مس سولفید/سرب سولفید در این تحقیق گرفته شده است، منجر به تلفیق این دو کاتد و ارائهی کاتدی ترکیبی از آنها شده است؛ که در اینجا به طور کامل به بررسی و مشخصه یابی خواص فوتوولتایی آنها پرداخته شده است.

مشخصه اعتیاد

اختصاصی از نیک فایل مشخصه اعتیاد دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فایل بصورت ورد (قابل ویرایش) و در 35 صفحه می باشد.

- رفتار بی اراده:

زمانی که در خود احساس ضرورت برای انجام کاری بطور پیوسته دارید، چیزی بیش از یک عادت معمولی است. تکرار مداوم معمولاً تلاش برای کسب مجدد شادی و نشاط اولیه است زمانی که تمایلات ایده آلیستی بر زندگی حاکم می شوند و انسان را درگیر مسائل جزئی وجود داشت نامربوط می کند. ممکن است نشانه هایی از اعتیاد در انسان باشد.

2- کمبود ارداده:

یکی از علائم و نشانه های رشد و کمال این است که بتوانیم برای رفتار هایمان حد و حدود تعیین کنیم اگر خیلی نسبت به عادت هایمان احساس وابستگی کنیم و برای مهار آن ها قدرتی وجود نداشته باشد، احتمالش زیاد است که به آن رفتار اعتیاد پیدا کرده باشیم.

3- شانه خالی کردن از قبول مسوولیت:

یکی از خصوصیت که بین همه معتادین متداول است این است که عادت خود را تقصیر دیگران می اندازند نادیده گرفتن اهمیت مسائل، دروغ گویی به خانواده و دوستان و سرپوش گذاشتن روی خطاها و اشتباهات، همه و همه نشانه های این است که رفتار فرد، بی اراده و بی اختیار است.

4- جایگزینی برای عادت های ناپسند:

تا به حال متوجه شده ایند که اعضای انجمن معتادین الکلی چقدر قهوه استفاده می کنند؟ یا اینکه چطور افرادی که به تازگی سیگار را ترک کرده اند برای ماهها پیوسته آدمامس می جوند؟ این افراد یک نوع اعتیاد را با نوع دیگری جایگزین کرده اند چون این باعث قوت قلب آنها می شود.