تحقیق در مورد نیمه رسانا

اختصاصی از نیک فایل تحقیق در مورد نیمه رسانا دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 26
فهرست مطالب:

تعریف نیمه رسانا :

انواع نیمه رساناها:

طریقه ساخت دیود از نیمه رساناها:

انواع پیوند نیم رسانا

ساخت پیوندهای p - n

پیوندهای رشد یافته :

پیوندهای آلیاژی :

پیوندهای نفوذی :

کاشت یون :

پیوندهای فلز نیم رسانا :

پیوندهای ناهمگون :

کاربردها :

طریقه ساخت ترانزیستور از نیمه رساناها:

نیمه رسانایی بنام الماس:

تعریف نیمه رسانا :

نیمه‌رسانا یا نیمه هادی عنصر یا ماده ای که در حالت عادی عایق باشد ولی با افزودن مقداری ناخالصی قابلیت هدایت الکتریکی را پیدا کند نیمه رسانا میگویند(منظور از ناخالصی عنصر یا عناصر دیگری است غیر از عنصر اصلی یا پایه برفرض مثال اگر عنصر پایه سلیسیوم باشد ناخالصی میتواند آلومنیوم یا فسفر باشد). ومقاومت آن بین رساناها و نارساناهاست. از نیمه رساناها برای ساخت قطعاتی نظیر دیود و ترانزیستور و ... استفاده می‌شود. ظهور نیمه رسانا ها در علم الکترونیک انقلاب عظیمی را در این علم ایجاد کرده که اختراع رایانه یکی از دستاوردهای این انقلاب است.

انواع نیمه رساناها:

نیمه رساناها به دو نوع قسمت بندی میشوند.

1. نوع پی P یا Positive یا مثبت یا گیرنده الکترون
2. نوع ان N یا Negative یا منفی یا دارنده الکترون اضافی.

چطور نیمه رساناها کار می کنند؟    

نیمه رساناها (Semi-Conductors) در زندگی ما و بهتر بگوییم در قدم گذاردن بشر به عصر دیجیتال و فیزیک و الکترونیک نوین؛ نقش تاریخی ایفا کرده‌اند.

نیمه رساناها را در درون دستگاه‌های گوناگونی یافت می‌کنید. اساس ساخت پردازشگر‌ها و ریز پردازنده‌ها و تمام دستگاه‌هایی که به نحوی اطلاعات و عملیاتی را پردازش می‌کنند، نیمه رساناست. از کامپیوتر شخصی‌ شما گرفته تا پخش کننده mp3 و دستگاه‌های عکس‌برداری پزشکی MRI.نیمه رسانا در ساده‌ترین شکل خود یک «دیود» (Diode) یا یکسو کننده است و برای درک ساختار نیمه رساناها بهتر است از مطالعه روی دیود شروع کنیم. در ادامه به چگونگی ساخت دیود می‌پردازیم.سیلیکون یکی از عناصر سازنده زمین و بعد از اکسیژن بیشترین فراوانی را در پوسته زمین دارد به طوری که 25.7٪ از جرم پوسته زمین از سیلیکون تشکیل شده است.

تحقیق در مورد نیمه رسانا

اختصاصی از نیک فایل تحقیق در مورد نیمه رسانا دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 26
فهرست مطالب:

تعریف نیمه رسانا :

انواع نیمه رساناها:

طریقه ساخت دیود از نیمه رساناها:

انواع پیوند نیم رسانا

ساخت پیوندهای p - n

پیوندهای رشد یافته :

پیوندهای آلیاژی :

پیوندهای نفوذی :

کاشت یون :

پیوندهای فلز نیم رسانا :

پیوندهای ناهمگون :

کاربردها :

طریقه ساخت ترانزیستور از نیمه رساناها:

نیمه رسانایی بنام الماس:

تعریف نیمه رسانا :

نیمه‌رسانا یا نیمه هادی عنصر یا ماده ای که در حالت عادی عایق باشد ولی با افزودن مقداری ناخالصی قابلیت هدایت الکتریکی را پیدا کند نیمه رسانا میگویند(منظور از ناخالصی عنصر یا عناصر دیگری است غیر از عنصر اصلی یا پایه برفرض مثال اگر عنصر پایه سلیسیوم باشد ناخالصی میتواند آلومنیوم یا فسفر باشد). ومقاومت آن بین رساناها و نارساناهاست. از نیمه رساناها برای ساخت قطعاتی نظیر دیود و ترانزیستور و ... استفاده می‌شود. ظهور نیمه رسانا ها در علم الکترونیک انقلاب عظیمی را در این علم ایجاد کرده که اختراع رایانه یکی از دستاوردهای این انقلاب است.

انواع نیمه رساناها:

نیمه رساناها به دو نوع قسمت بندی میشوند.

1. نوع پی P یا Positive یا مثبت یا گیرنده الکترون
2. نوع ان N یا Negative یا منفی یا دارنده الکترون اضافی.

چطور نیمه رساناها کار می کنند؟    

نیمه رساناها (Semi-Conductors) در زندگی ما و بهتر بگوییم در قدم گذاردن بشر به عصر دیجیتال و فیزیک و الکترونیک نوین؛ نقش تاریخی ایفا کرده‌اند.

نیمه رساناها را در درون دستگاه‌های گوناگونی یافت می‌کنید. اساس ساخت پردازشگر‌ها و ریز پردازنده‌ها و تمام دستگاه‌هایی که به نحوی اطلاعات و عملیاتی را پردازش می‌کنند، نیمه رساناست. از کامپیوتر شخصی‌ شما گرفته تا پخش کننده mp3 و دستگاه‌های عکس‌برداری پزشکی MRI.نیمه رسانا در ساده‌ترین شکل خود یک «دیود» (Diode) یا یکسو کننده است و برای درک ساختار نیمه رساناها بهتر است از مطالعه روی دیود شروع کنیم. در ادامه به چگونگی ساخت دیود می‌پردازیم.سیلیکون یکی از عناصر سازنده زمین و بعد از اکسیژن بیشترین فراوانی را در پوسته زمین دارد به طوری که 25.7٪ از جرم پوسته زمین از سیلیکون تشکیل شده است.

تحقیق در مورد توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی

اختصاصی از نیک فایل تحقیق در مورد توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه8

«توصیف آشکار سازهای نیمه هادی سه بعدی نوترونهای حرارتی»

   آشکار سازی های نیمه هادی نوترون برای رادیوبیولوژی نوترون و شمارش آن دارای اهمیت بسیار زیادی هستند. آشکار سازی های ساده سیلیکونی نوترون ترکیبی از یک دیود صفحه ای با لایه ای از یک مبدل مناسب نوترون مثل  6LiFمی باشند. چنین وسایلی دارای بهره آشکار سازی محدودی می باشندکه معمولاً بیشتر از 5% نیست. بهره آشکار سازی را می توان با ساخت یک ساختار میکرونی3D به صورت فرو رفتگی، حفره یا سوراخ و پر کردن آن با ماده مبدل نوترون افزایش داد. اولین نتایج ساخت چنین وسیله ای در این مقاله ارائه شده است.

   آشکار سازهای سیلیکونیN با حفره های هرمی شکل در سطح پوشیده شده با 6LiF ساخته شده و سپس تحت تابش نوترونهای حرارتی قرار گرفتند. طیف ارتفاع پالس انرژی تابش شده به حجم حساس با شبیه سازی مورد مقایسه قرار گرفت. بهره آشکار سازی این وسیله در حدود 6.3% بود. نمونه هایی با سایز ستونهای مختلف  ساخته شد تا خواص الکتریکی ساختارهای سه بعدی مورد مطالعه قرار گیرد.ضرایب جمع آوری بار در ستونهای سیلیکون از 10تا800 nm عرض و 80تا nm 200ارتفاع با ذرات آلفا اندازه گیری شد. بهره آشکار سازی یک ساختار 3D کامل نیز شبیه سازی شد. نتایج نشان از تقویت بهره آشکار سازی  با فاکتور 6در مقایسه با آشکار سازهای صفحه ای استاندارد نوترون دارد.

1. مقدمه و اهداف: آشکار سازهای نوترونی نمی توانند مستقیماً برای آشکار سازی نوترونهای حرارتی به کار روند و باید از ماده ای استفاده کرد که نوترونها را به صورت تشعشع قابل آشکار سازی در آورد. مواد مختلفی برای این منظور وجود دارند که در بین آنها6Li از همه مناسب تر به نظر می رسد. واکنش گیر افتادن نوترون در6Li دارای سطح مقطع942 b در انرژی نوترونی0.0253eV است.

  6Li+n→∝(2.05MeV) +3H(2.73MeV          

مواد مبدل با پایه6Li دارای سطح مقطع گیر انداختن نورونهای بالایی بوده و انرژی

تحقیق درباره میوه های گرمسیری و نیمه

اختصاصی از نیک فایل تحقیق درباره میوه های گرمسیری و نیمه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

تعداد صفحه:7

فهرست و توضیحات:

مقدمه

بیان مسأله

اهمیت موضوع

مرکبات

تا ریخچه

مرکبات ازقرون گذشته وگویا بوسیله پرتقالیها به ایران آورده شده ودر ابتدا درجنوب که محیط مناسبی برای رویش آن به شمار می رود کاشته شده و از این جهت نام پرتقال را بروی یکی از گونه های آن گذاشتند.

اکنون کشور ایران در مقام هفتم تولید مرکبات در جهان است.

بومی قسمت های جنوب شرق آسیا و کشورهای چین و اندونزی و مالزی است.

مشخصات مرکبات

مرکبات از راسته granilas  وتیره Rutaceae  و زیر تیره Aurantioidae  است.

زیر تیره مرکبات دارای 33 جنس و203 گونه است که مرکبات خود شامل 3 جنس هستند:

1- poncirus :این گونه درختچه ای است به ارتفاع 3 تا 4 متر تنها نوع مرکبات که هر سال خزان دارد و به سرمای 20- درجه مقاوم است بخاطر برگهای سه برگچه ایش به آن نارنج سه برگ میگویند میوه آن کوچک و تلخ بعنوان پایه کاربرد دارد.

2- Fortunella :درختچه ای است کوتاه، برگهای ریز و میوه گرد و کشیده که به Kumquat  معروف است و این جنس به همراه پوشش به مصرف می رسد.

3- سیتروس Citrus

شامل کلیه مرکباتی که می شناسیم  و شامل گونه های زیر است:

1- پرتقال Citrus aurantium

2- نارنج  C. vulgaris

3- گریپ فروت C.paradisi

4- بادرنگ C.mediaca

5- سلطان مرکبات C.grandis

6- لیمو ترش C.limonum

7- دارابی C.decumana

8- نارنگی C.deliciusus

و لیمو شیرین،توسبز، لیمو عمانی و........

گیاه شناسی مرکبات

گیاهانی دو لپه،دارای درختان نسبتا بزرگ برگها ،منفرد و صاف ودمبرگها کم وبیش عریض می باشند گل ها یا منفرد ویا بصورت خوشه های کوچک  کاسه گل از5-4 کاسبرگ و جام گل از 8-4 گلبرگ تشکیل شده تعداد پرچم ها حدودا چهار برگ است تخمدان از نوع کروی ودارای برچه های زیاد است..

دانلود تحقیق ارتباط بین طیف خروجی و کاواک در لیزر نیمه هادی

اختصاصی از نیک فایل دانلود تحقیق ارتباط بین طیف خروجی و کاواک در لیزر نیمه هادی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

در این پایان نامه، ساختارهای مختلف لیزر نیمه هادی و خروجی آنها مورد بررسی قرار گرفته است و عوامل موثر بر این خروجی ها همچون جریان آستانه و تلفات اپتیکی بیان شده است. در نهایت با استفاده از طیف های دیود لیزری طول کاواک لیزر محاسبه شده است.

ساختار دیود لیزری از 5 لایه رونشستی توسط دستگاه LPE تهیه شده است که ضخامت لایة میانی یا لایة فعال برابر 05/0 میکرون می باشد. چگالی ناخالصی توسط دستگاه SIMS مورد بررسی قرار گرفته است که نشان می دهد چگالی ناخالصی در عرض لایه رونشستی کاملاً یکنواخت است و ضخامت لایه ها از 8 میکرون تا 05/0 میکرون به وسیله دستگاه AFM اندازه گیری شده است. شدت جریان آستانه در حدود A/cm2 70 برای تراشه ای به طول و عرض 200*300 میکرون محاسبه شده است. مدهای ظاهر شده در شدت جریان بالاتر از آستانه، Ith ، کاملاً مشهود است که نشان می دهد دیود ساخته شده پرتو لیزری از خود تابش می کند. در نهایت با استفاده از رابطه طول کاواک برای طیف‌های به دست آمده محاسبه شده که مقدار 206 میکرون به دست آمده است که با مقدار تجربی 6% خطا وجود دارد.

 چکیده
فصل اول : مقدمه ای بر لیزر (مبانی لیزر)
مقدمه
هدف
شباهت و تفاوت لیزر نیمه هادی با سایر لیزر ها
خواص بار یکه لیزر
انواع لیزر
وارونی انبوهی
پهن شدگی طیفی و انواع آن
انواع کاواک نوری (فیدبک)
برهم نهی امواج الکترومغناطیسی
 فصل دوم : لیزر نیمه هادی و انواع ساختار آن
مواد نیمه هادی
بازده گسیل خودبخودی
 انواع باز ترکیب
گاف انرژی و انواع آن
وارونی انبوهی و روش پمپاژ در لیزر نیمه هادی
اتصال p- n اولین تحقق لیزر نیمه هادی
انواع ساختار ها
ساختار DFB
تاثیرات دما به طیف گسیلی ساختار ها
مختصری راجع به بحث نوری
 لیزر های نیمه هادی و دیود های نور گسیل
جریان آستانه – خروجی
روش های بهبود و افزایش بازده کوانتومی داخلی
 لزوم اتصالات اهمی
فصل سوم : طیف خروجی لیزر نیمه هادی و عوامل مؤثر بر آن
تغییرات چگالی جریان آستانه و فشار هیدروستاتیکی
واگرایی پرتو خروجی
خروجی ساختار ها
محاسبه پهنای طیف در لیزر های نیمه هادی در ساختار های مختلف
انواع پهنای طیف
کوک پذیری لیزر نیمه هادی
روابط و معادلات مهم در تولید و بازترکیب حامل ها
بهره در حالت پایا و جریان آستانه
اهمیت کاواک لیزر
مدهای تولید شده در داخل کاواک
تفاوت اساسی مدهای طولی و عرضی
 فصل چهارم : بررسی و تحلیل طیف های خروجی (کار های تجربی)
پیشنهادات و نتایج
انواع اتصال دیود و طیف خروجی
۱- مشخصه ولتاژ- جریان (V- I)
۲- مشخصه جریان- مقاومت دینامیکی
۳- مشخصه جریان- توان (P- I)
۴- مشخصه جریان- راندمان کوانتومی دیفرانسیلی
۵- مشخصه توان طول موج
نمودارهای تجربی
نتایج
پیشنهادات
منابع فارسی
منابع لاتین

شامل 120 صفحه فایل word