تحقیق در مورد پیشرفت صنعتی جوامع و ارتباط آن با جرم (فرمت word و با قابلیت ویرایش)تعداد صفحات 28

اختصاصی از نیک فایل تحقیق در مورد پیشرفت صنعتی جوامع و ارتباط آن با جرم (فرمت word و با قابلیت ویرایش)تعداد صفحات 28 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق در مورد پیشرفت صنعتی جوامع و ارتباط آن با جرم (فرمت word و با قابلیت ویرایش)تعداد صفحات 28

فهرست مطالب

مقدمه

مبحث اول- بررسی مفاهیم

الف. پیشرفت و توسعه

ب. پیشرفت و توسعه صنعتی

ج. جرم

1- تعریف جرم شناختی

2- تعریف قانونی

3- تعریف فقهی

4- تعریف روانشناختی

انسان و جرم

مبحث دوم- پیشرفت صنعت و تاثیرات آن بر افزایش جرایم

1- انفعال انسان ها در برابر تکنولوژی و گرایش به بزهکاری

2- تنزل اخلاق و تاثر آن از پیشرفتهای صنعتی جوامع

3- گسترش فقر به موازات توسعه ی صنعتی و اثرات آن به جرم

4- بوجود آوردن نیازهای مصنوعی برای افراد جامعه

مبحث سوم- پیشرفت صنعت و تاثیرات آن بر کاهش جرایم

1- بالا رفتن سطح رفاه ، بهداشت و آموزش عمومی

2- پیشرفت های صنعتی و تکنولوژیک و کمک به افزایش امنیت در مقابل جرم

نتیجه گیری

مقاله در مورد ماشین بینایی و تصویر برداری دیجیتالی

اختصاصی از نیک فایل مقاله در مورد ماشین بینایی و تصویر برداری دیجیتالی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه185

پیشگفتار:

با ساخت وسایل الکترو مغنا طیسی نظیر انواع الکتروموتورها، بوبین ها ،رله ها وغیریه ،انسان قادر شد با بهره گیری از الکترونیک  ، کنترل ابزارهای مکانیکی را در دست گیرد و سر انجام با پیدایش میکرو پروسسورها و با توجه به توانایی آنها در پردازش اطلاعات و اعمال کنترلی و همچنین قابلیت مهم برنامه پذیر بودن آنها تحول شگرفی در ساخت تجهیزات الکترونیکی و صنعتی وغیره به‌وجودآمد.

پیشرفت ها و تحولات اخیر باعث پیدایش اتوماسیون صنعتی شده که در بسیاری از موارد جایگزین نیروی انسانی می گردد.به عنوان نمونه انجام امور سخت در معادن و یا کارخانه ها و یا کارهایی که نیازمند دقت وسرعت بالا می‌باشد و یا انجام آن برای نیروی انسانی خطر آفرین است به انواع دستگاهها و رباتها سپرده شده است. همچنین با پیشرفت الکترونیک در زمینه ساخت سنسورها . بالا رفتن دقت آن ها،  امروزه انواع گوناگونی از حس گرها در دنیا تولید می شود که در ساخت رباتها و در زمینه اتوماسیون نقش مهمی را ایفا می‌کنند.
در این پایان نامه پس از مباحثی در مورد  پردازش دیجیتالی تصویر ، معرفی میکرو کنترلر 8051  بصورت مختصر و در حد نیاز و بخش کوچکی در مورد استپ موتورها  به طراحی وپیاده سازی نمونه ای کوچک از یک ماشین مسیر یاب پرداخته شده است .شایان ذکر است که مطالب مربوط به طراحی وساخت ماشین بگونه ای بیان شده که توسط هر فردی که آشنایی مختصری با میکرو کنترلرها داشته باشد، قابل پیاده سازی است.

در خاتمه از استاد گرانقدر جناب آقای همایون موتمنی و نیز تمام کسانی که  در این امر مرا یاری دادند، از جمله مهندس فیض ا... خاکپور و نیز دوست عزیزم مهدی جعفری ، تشکر و قدردانی می نمایم.

فصل اول

آشنایی با ماشین بینایی و تصویر برداری دیجیتالی

1-1کلیات

تکنولوژی ماشین بینایی وتصویر بر داری دیجیتالی شامل فرایند هایی است که نیازمند بکارگیری علوم مختلف مهندسی نرم افزار کامپیوتر می باشد این فرایند را می توان به  چند دسته اصلی تقسیم نمود :

• ایجاد تصویر به شکل دیجیتالی
• بکارگیری تکنیکهای کامپیوتری جهت پردازش ویا اصلاح داده های تصویری
• بررسی و استفاده از نتایج پردازش شده برای اهدافی چون هدایت ربات یا کنترل نمودن تجهیزات خود کار ، کنترل کیفیت یک فرایند تولیدی ، یا فراهم آوردن اطلاعات جهت تجزیه و تحلیل آماری در یک سیستم تولیدی کامپیوتری (MAC)

ابتدا می بایست آشنایی کلی ، با هر یک از اجزاء سیستم پیدا کرد و از اثرات هر بخش بر روی بخش دیگر مسطح بود . ماشین بینایی و تصویر بر داری دیجیتالی از موضوعاتی است که در آینده نزدیک تلاش و تحقیق بسیاری از متخصصان را بخود اختصاص خواهد بود.

در طی سه دهه گذشته تکنولوژی بینایی یا کامپیوتری بطور پراکنده در صنایع فضایی نظامی و بطور محدود در صنعت بکار برده شده است . جدید بودن تکنولوژی ، نبودن سیستم مقرون به صرفه  در بازار و نبودن متخصصین این رشته باعث شده است تا این تکنولوژی بطور گسترده استفاده نشود .

تا مدتی قبل دوربین ها و سنسورهای استفاده شده معمولا بصورت سفارشی ومخصوص ساخته می شدند تا بتوانند برا ی منظورخاصی مورد استفاده قرار گیرند همچنین فرایند ساخت مدارهای مجتمع بسیار بزرگ آنقدر پیشرفت نکرده بود تا سنسورهای حالت جامد با رزولوشن بالا ساخته شود .

استفاده از سنسورهای ذکر شده مستلزم این بود که نرم افزار ویژه ای برای آن تهیه شود و معمولا این نرم افزارها نیز نیاز به کامپیوتر هایی با توان پردازش بالا داشتند. علاوه بر همه این مطالب مهندسین مجبور بودند که آموزشهای لازم را پس از فراغت از تحصیل فرا گیرند . زیرا درس ماشین بینایی در سطح آموزشهای متداول مهندسی در دانشگاهها وبه شکل کلاسیک ارائه نمی شد .

تکنولوژی ماشین بینایی در دهه آینده تاثیر مهمی بر تمامی کارهای صنعتی خواهد گذاشت که دلیل

تحقیق در مورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

اختصاصی از نیک فایل تحقیق در مورد آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه36

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر[1] کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک[2] و تنارد[3] کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

  1.                      نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود  در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق[4] شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم  آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N[5] نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل هدایت فوق حامل اکثریت و به حفره ها حامل اقلیت می‌گویند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم ، یک ماده 3 ظرفیتی مانند آلومنیوم یا گالیم تزریق شود، سه الکترون مدار آخر آلومنیوم با سه الکترون سه اتم سیلیسیم یا ژرمانیم مجاور ، تشکیل پیوند اشتراکی می‌دهند . پیوند چهارم دارای کمبود الکترون و در واقع یک حفره تشکیل یافته است .

هر اتم سه ظرفیتی، باعث ایجاد یک حفره می‌شود، بدون اینکه الکترون آزاد ایجاد شده باشد. در این نیمه هادی ناخالص شده، الکترون ها فقط در اثر شکسته شدن پیوندها بو جود می‌آیند.

نیمه هادی هایی که ناخالصی آنها از اتم های سه ظرفیتی باشد، نوع P [6] می‌نامند .

حفره ها در این نیمه هادی به عنوان حامل های اکثریت و الکترون ها به عنوان حاملهای اقلیت وجود دارد، تبدیل یک نیمه هادی نوع p وn و بالعکس بوسیله عملی به نام «جبران»(Compensation) امکان پذیر می‌باشد[7].

2.                      اتصال PN و تشکیل نیمه های دیود

لحظه ای که دو قطعه نیمه هادی نوع P وN را به هم پیوند می‌دهیم، از آنجایی که الکترون ها و حفره ها قابل انتقال می‌باشند، الکترون های موجود در نیمه هادی نوع N به خاطر بار الکتریکی مثبت حفره ها ، جذب حفره ها می‌گردند. لذا در محل اتصال نیمه هادی نوع P وN ، هیچ الکترون آزاد و حفره وجود ندارد.  

3ـ1) لایه تهی

گرایش الکترونهای طرف n پخش شدن در تمامی‌جهات است. بعضی از آنها از پیوندگاه می‌گذرند. وقتی

[1] winkler،

روشهای الکترونیک از تئوری تا عملی، بهزاد رضوی و همایون نیکوکار، انتشارات باستان،5،1361

فهرست مطالب

آخرین انار دنیا

اختصاصی از نیک فایل آخرین انار دنیا دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

آخرین انار دنیا

نویسنده:بختیار علی

تحقیق در مورد ابررسانه

اختصاصی از نیک فایل تحقیق در مورد ابررسانه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه23

1-1 مقدمه

در سال 1911، کامرلینگ اونس[1] هنگام کار کردن در آزمایشگاه دمای پایین خود کشف کرد که در دمای چند درجه بالای صفر مطلق، k 2/4، جریان الکتریسیته می تواند بدون هیچ اتلاف اختلاف پتانسیل در فلز جیوه جریان پیدا کند. او این واقعه منحصر به فرد را ابررسانایی[2] نامید. کامرینگ در سخنرانی نوبل سال 1913 گزارش داد که حالت ابررسانایی می تواند به وسیله اعمال میدان مغناطیسی به اندازه کافی بزرگ از بین رود.

در حالی که یک جریان القاء شده در یک حلقه بسته ابررسانا به مدت زمان فوق العاده زیادی باقی می ماند و از بین نمی رود. او این رخداد را به طور عملی با آغاز یک جریان ابررسانی در یک سیم پیچ در آزمایشگاه لیدن و سپس حمل سیم پیچ همراه با سرد کننده‌ای که آن را سرد نگه می‌داشت، به دانشگاه کمنویج به عموم نشان داد. بعد از کشف، ابررسانایی در بیش از یک هزار فلز، آلیاژ، ترکیبات و حتی شبه رساناها یافت شد. [1]، اما هیچ نظریه ای برای توضیح ابررسانایی در طول 46 سال بعد از کشف ارائه نگردید. اولین دلیل آن می تواند این باشد که جامعه فیزیک تا حدود 20 سال مبانی علمی لازم برای ارائه راه حل برای این مساله را نداشت: تئوری کوانتم فلزات معمولی. دوم این که تا سال 1933، هیچ آزمایش اساسی در این زمینه انجام نشد.

در این سال مایسنو و اوشنفلو گفتند که یک ابررسانا نه تنها در برابر عبور جریان مقاومت صفر دارد،بلکه به‌طور هم‌زمان‌ خاصیت دیامغناطیس‌نیز از خود نشان می‌دهد.در سال1934، گورتر و کایسیمیر[3] مدل دو مشاوره‌ای را ارائه دادند.

طبق این مدل ابررسانا از دو نوع الکترون آزاد تشکیل شده:1- ابرالکترون (n2) 2- الکترون‌های معمولی(nn)با افزایش دما از صفر تا Tc چگالی الکترون‌های ابررسانشی کاهش و به چگالی الکترون‌های معمولی اضافه می شود و در دمای انتقال تمام الکترون ها به صورت الکترون های معمولی در می آیند.

سوم اینکه، وقتی مبانی علمی لازم بدست آمد، به زودی واضح شد که انرژی مشخصه وابسته به تشکیل ابررسانایی بسیار کوچک می باشد، حدود یک میلیونیم انرژی الکترونی مشخصه حالت عادی، بنابراین نظریه پردازان توجه شان را به توسعه یک تفسیر رویدادی از جریان ابررسانایی جلب کردند. این مسیر را لاندئو[4] رهبری می کرد. کسی که در سال 1953 به همراه گینزبرگ[5] یک تئوری پدیده شناختی را مطرح کردند و یک سری معادلات را فرمول بندی کردند، اما هرگز نتوانستند علت رخ دادن این پدیده را توضیح دهند.[2]

یک کلید راهنما در سال 1950 میلادی بدست آمد، وقتی که محققان در دانشگاه روتگزر کشف کردند که دمای انتقال به حالت ابررسانایی سرب با عکس M ارتباط دارد. M.M جرم ایزوتوپ سرب است. از آنجا که انرژی الرزشی شبکه همان بستگی را با M  دارد، کوانتای پایه آنها، فونون ها، باید نقشی در ظهور حالت ابررسانایی داشته باشند. سرانجام در سال 1957، سه فیزیک دان به نام‌های باردین، کوپر و شیرفر[6] نظریه میکروسکوپی خود را ارائه کردند که بعدا به نام تئوری BCS شناخته شد.

در سال 1965 نقش فونونها در دمای گذار ابررسانایی در اثر ایزوتوپ تاییدی بر نظریه BCS بود. همچنین کوانتش شار و جریان تونلی شاهدان دیگری بر باور این نظریه بودند.

سومین رخداد مهم در تاریخ ابررسانایی در سال 1986 اتفاق افتاد. تا این سال دانشمندان تلاش زیادی را مصروف کشف ابررسانا با دمای انتقال بالاتر کردند. ولی تنها ثمره این تلاش‌ها ماده  با k23بود که در سال1973کشف شد. تا اینکه در سال1986، بدنور و مولر[7] در حال کار کردن از آزمایشگاه IBM نزدیک شهر زوریخ سوئیس، مقاله ای با عنوان« امکان در رسانای دمای بالا در سیستم "Ba-La-Cu-O" منتشر کردند.[؟ ]

این کشف باعث ایجاد زمینه ای جدید در علم فیزیک شد: مطالعه ابررساناهای دمای بالا در سال 1987 این دو دانشمند با فرض اینکه مواد با اثر جان تلر[8] مشخص نیز می توانند ابررساناهایی با دمای گذار بالا تولید کنند، اکسید نیکلی را بررسی کردند، که ابررسانایی را نشان نداد سپس آنها اکسیدهای مس را مورد بررسی قرار دادند، واقع در هشت وجهی متشکل از اتمهای اکسیژن، اثر جان تلر بزرگی از خود نشان می داد. آنها نمونه هایی از مس- لانتانیوم- باریم در اختیار داشتند که بر خلاف پیشگویی نظریه BCS اولیه، دماهای گذار بالاتر از K 35 را نشان می دادند. طی مدت زمان کوتاهی
 Y-Ba-Cu-O (YBCO یا 123Y) با دمای گذار بالای K 80 ساخته شد.[2و4]

از آنجایی که کار با نیتروژن مایع راحت تر و کم هزینه تر از کار با هلیم مایع می باشد، کشف این ابررساناها تحول بزرگی در زمینه تحقیقاتی بوجود آورد، مطالعه ابرساناهای دمای بالا چنان گسترش یافته است که محققان بسیاری به دنبال نظریه میکروسکوپی برای توجیه خواص غیر عادی این مواد هستند.

در سال 1988 دو دسته ترکیبات جدید ابررسانایی کشف شدند این ترکیبات عبارت بودند از Bi-Sr-Ca-Cu-O(BSCCO) وTi-Ba-Ca-Cu-O(TBCCO) که مانند123Y شامل دسته صفحات بودند. به دنبال آن در سال 1993 ترکیبات اکسید جیوه یافت شدند که دمای گذار آنها برای فازهای مختلف بین 94 تا 165 کلوین است. دمای گذار در فشار اتمسفر، K 135 است که در فشار بالاتر به بالای K 60 اهم می رسد[5 و2].

ابررساناهای دمای بالا همه در چند خصوصیات اصلی مشترک اند: ناهمسانگردند، ساختار بلوری لایه لایه دارند

[1]  H. Komerling - Onnes

[2] Superconductivity

[3]  Gorter & Kasimier

[4]  Landau

[5]  Ginzburg

[6]  Bardin & Cooper & Schrieffer

[7]  Bednorz & Muller

[8] Jan Teller : اثر جان- تلر در آن یک مولکول یا یک مجموعه مولکولی با یک حالت الکترونی تبهگن می تواند از نظر ساختاری واپیچیده شود و به حالتی با درجه تقارن پایین تر برود و تبهگنی را از بین ببرد. این مطلب اولین بار در سال 1983 در مطالعات ترکیبات بین فلزی با باند باریک در یک مدل زنجیره خطی پیشنهاد شده بود. مجموعه های شامل یونهای میانی فلزات واسط با ظرفیتهای خاص، این اثر را نشان می دهند.

بدنورز و مولر با توجه به اطلاعاتی که از یونهای جان – تلر منزوی در عایقهای پرووسکیت وجود داشت، فرض کردند که این مدل را می توان در مورد اکسیدها نیز به کاربرد، مشروط بر اسنکه بتوان آنها را به رسانا تبدیل کرد. اکسیدهای شامل یونهای فلز واسط با اوربیتال های به طور پاره ای جزئی مانند یا اثر قوی جان – تلر را به نمایش می گذارند[1].