عنوان پایان نامه :بررسی و مطالع پدیده شکست در p-n
فرمت :PDF
تعداد صفحات:146
چکیده پایان نامه : در این پایان نامه نخست دلایل فیزیکی پدیده شکست در پیوندهای p-n و راه های بهبود آن مورد بررسی قرار گرفته و سپس روش های بدست آوردن ولتاژ شکست بیان شده است و در ادامه به بررسی دیودهای ساخته شده در ازمایشگاه نیمه هادی و میکروتکنولوژی دانشگاه صنعتی شریف پرداخته ایم و به نتایجی از جمله چگونگی تاثیر شکل پنجره نفوذ ، مدت زمان نفوذ ، کیفیت سطح نفوذ و استفاده از حلقه محافظتی در ولتاژ شکست دست یافتیم. در پایان اثر میدان مغناطیسی بر ولتاژ شکست و جریان نشتی در پیوند p-n مورد ارزیابی قرار داده شد که به ما این موضوع را می رساند که چگونه میدان مغناطیسی می تواند در افزایش ولتاژ شکست ازسربگذارد و برای این اثر چه شرایطی لازم است. فصل های پایان نامه : فصل اول : مقدمه فصل دوم: بررسی فیزیکی شکست در پیوند p-n و راههای بهبود آن فصل سوم: بدست آوردن ولتاژ شکست برای یک پیوند p-n فصل چهارم : بررسی شکست در دیودهای ساخته شده در آزمایشگاه فصل پنجم : بررسی اثر میدان مغناطیسی برروی شکست بهمنی و جریان نشتی در نیمه رسانا فصل ششم: خلاصه و نتیجه گیری
پایان نامه کارشناسی رشته برق و الکترونیک_بررسی و مطالع پدیده شکست در p-n