نیک فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

نیک فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

پاورپوینت درباره فعالیت بدنی و سلامت

اختصاصی از نیک فایل پاورپوینت درباره فعالیت بدنی و سلامت دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاورپوینت درباره فعالیت بدنی و سلامت


پاورپوینت درباره فعالیت بدنی و سلامت

 

فرمت فایل :powerpoint (لینک دانلود پایین صفحه) تعداد صفحات  42 صفحه

 

 

 

اهداف آموزشی:

§ تشویق دانش آموزان و دانشجویان به فعالیت بدنی بیشتر
§ شناخت ورزش و اثرات آن بر پیشگیری از بیماری ها
§ ارائه مثال هایی از فعالیت بدنی ساده و با شدت متوسط
§ تشویق به فعالیت بدنی منظم در کشورهای در حال        

   توسعه به ویژه برای زنان

§ تشویق به تناسب بدنی در افراد دارای معلولیت فیزیکی
§ ایجاد یک المپیک فعالیت بدنی و سلامت با Supercourse !

بازیهای المپیک امسال، آتن 2004

تعداد:

§ جمعیت                   4،000،000
§ دیدار کننده               2،500،000-2
§ ورزشکار                   18،000
§ امدادگر                     5،000
§ داور                         2،500
§ داوطلب                     6،000
§ خبرنگار                     15،000

 

مکان: شهر آتن + 4 محل دیگر

فعالیت بدنی چیست؟

 

§ فعالیت بدنی

حرکات بدن که توسط عظلات اسکلتی انجام میشوند و

منجر به مصرف انرژی میشوند.

 

§ تناسب فیزیکی

شاخص توانایی فرد برای انجام فعالیت بدنی که نیازمند

استقامت، قدرت و انعطاف پذیری است.

 

§ فعالیت بدنی منظم

فعالیت بدنی منظم است که با نظم مشخصی انجام شود.

CDC 1997

 

 

 


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت درباره فعالیت بدنی و سلامت

مدیریت تحرک شبکه‎های حسگر بی‎سیم با استفاده از منطق فازی

اختصاصی از نیک فایل مدیریت تحرک شبکه‎های حسگر بی‎سیم با استفاده از منطق فازی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

This paper presents a novel, intelligent controller to support mobility in wireless sensor
networks. In particular, the focus is on the deployment of such mobility solution to critical
applications, like personnel safety in an industrial environment. A Fuzzy Logic-based
mobility controller is proposed to aid sensor Mobile Nodes (MN) to decide whether they
have to trigger the handoff procedure and perform the handoff to a new connection position
or not. To do so, we use a combination of two locally available metrics, the RSSI and the
Link Loss, in order to ‘‘predict’’ the End-to-End losses and support the handoff triggering
procedure. As a performance evaluation environment, a real industrial setting (oil refinery)
is used. Based on on-site experiments run in the oil refinery testbed area, the proposed
mobility controller has shown significant benefits compared to other conventional solutions,
in terms of packet loss, packet delivery delay, energy consumption, and ratio of successful
handoff triggers.

این مقاله در خصوص ارائه یک کنترلر هوشمند و نو آور است که تحرک در شبکه های حسگر بی سیم را کنترل می کند و تمرکز آن بر روی گسترش راهکار تحرکی در کاربرد های حساسی مثل امنیت پرسنل در محیط صنعتی می باشد

 


دانلود با لینک مستقیم


مدیریت تحرک شبکه‎های حسگر بی‎سیم با استفاده از منطق فازی

تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT

اختصاصی از نیک فایل تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT


تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT

تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT

به همراه 16 اسلاید آماده ارائه در قالب پاورپوینت

 

 

 

مقدمه:

ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون،[1]HEMT، که بر اساس مواد نیمه هادی III-Vو معمولا برای فرکانسهای بالا  ساخته می شوند، جایگاه ویژه ای در طراحی تقویت کننده های کم نویز فرکانس بالا و Wide band دارند. ترانزیستور های  HEMT در واقع  مشتق  MESFET  ها می باشند.الکترون در MESFET  از یک لایه n-GaAs تغلیظ شده عبور می کند، و با توجه به اینکه قابلیت تحرک الکترون در n-GaAs نسبت به GaAs در حدود  کمتر می باشد، به دلیل پراکندگی( Scatter)  الکترون ها ناشی از Ionized dopant’s  ، بنابراین با جدا سازی کانال عبور الکترون از لایه  n-GaAs می توان به عملکرد نویز، بهره و فرکانسی  بهتری  نسبت به MESFET دست یافت. HEMT از دو ماده متمایز طبق آنچه گفته شد در در ساختارش استفاده  می شود( مطابق شکل -1). تفاوت در شکاف انرژی باعث به وجود آمدن یک ناپیوستگی در باند هدایت و ظرفیت در محل تماس می شود یا به عبارتی پیوند چندگن یک چاه کوانتومی در باند هدایت درست می کند. نیمه هادی با باند انرژی بزرگتر باناخاصی و نیمه هادی با باند انرژی کوچکتر بدون ناخالصی می باشد، در نتیجه الکترونهای باند هدایت از نیمه هادی با ناخالصی به لایه بدون ناخالصی به دلیل شکاف انرژی کمترآن حرکت می کنند، ویک لایه گاز الکترون دو بعدی بین لایه های بدون الایش و نوع n در امتداد پیوند چندگن ایجاد می شود. ناپیوستگی باند انرژی یک سد انرژی  می باشد  که الکترونها را حبس می کند]1[.

روش کار:

طرح حاضر به طور کلی به ساخت وسایل میکروالکترونیک مربوط است وبه طور خاص درباره ساخت گیت-T برای ترانزیستورهای اثر میدانی مثل یک ترانزیستور با قابلیت تحرک بالای الکترونHEMT.در زیر مراحل ساخت یک HEMT با گیت-T به طور کامل شرح داده شده است.

با توجه به شکل -2 اولین مرحله در فرایند ساخت فراهم کردن یک زیر لایه 10 است که می تواند شامل Si,Ge,GaAs یا مواد مشابه باشد که در اینجا ازInP  استفاده شده  بر روی پایه نیمه-عایقInP 12 وساختار  لایه اپیتکسی نیمه رسانا 14 بر روی لایه 12 تشکیل شده است که شامل لایه تغلیظ شده دهنده روی لایه کانال تغلیظ نشده که درادامه  توضیح داده خواهد شد.در شکل-2 یک ماسک فتورزیست 16  بوسیله فتولیتوگرافی بر روی سطح ا a14 ز لایه اپیتکسی 14 تشکیل شده است،سپس سطح a14 در معرض کاشت یونها قرار میگیرد که سبب می شود نواحی پوشانده نشده توسط ماسک16 بطور الکتریکی عایق شوند،هدف از این مرحله ایزوله کردن زیرلایه 10 است،یونهای پیشنهادی دراین مرحله اکسیژن وبور هستند. بعد از کاشت، لایه اپیتکسی 14 شامل ناحیه داخل b14که توسط ماسک  16حفاظت شده است وناحیه بیرونی c14که بوسیله کاشت یون عایق شده است،می باشد.

 

ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است

متن کامل را می توانید در ادامه دانلود نمائید

چون فقط تکه هایی از متن برای نمونه در این صفحه درج شده است ولی در فایل دانلودی متن کامل همراه با تمام ضمائم (پیوست ها) با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند موجود است

 


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT

دانلود مقاله ISI جذب آب، توزیع و تحرک در آمورف پلی (D، L-لاکتید) توسط مولکولی شبیه سازی دینامیک

اختصاصی از نیک فایل دانلود مقاله ISI جذب آب، توزیع و تحرک در آمورف پلی (D، L-لاکتید) توسط مولکولی شبیه سازی دینامیک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع فارسی :جذب آب، توزیع و تحرک در آمورف
پلی (D، L-لاکتید) توسط مولکولی شبیه سازی دینامیک

موضوع انگلیسی :Water Uptake, Distribution, and Mobility in Amorphous
Poly(D,L-Lactide) by Molecular Dynamics Simulation

تعداد صفحات :13

فرمت فایل :PDF

سال انتشار :2013

زبان مقاله : انگلیسی

 

چکیده: همه اتم مدل محاسباتی صریح و روشن برای پلی آمورف (لاکتید) (PLA) توسعه داده شد. شبیه سازی دینامیک مولکولی
از PLA عینک برای کشف برهمکنش های مولکولی مختلف و پیش بینی برخی خواص فیزیکی انجام شد. چگالی یک تازه
تشکیل شیشه ای PLA ساله برای 100 NS در 298 K بود 1.23 g / cm3 است، نزدیک به محدوده تجربی (1.24-1.25 g / cm3 است). انتقال شیشه ای
درجه حرارت (TG = 364 K) بالاتر از مقادیر تجربی به دلیل نرخ سرد کردن سریع (0.03 K / ص) در شبیه سازی بود. حلالیت
پارامتر (20.6 مگاپاسکال 1/2) در مقایسه مطلوب به ادبیات. ایزوترم جذب آب به دست آمده توسط مربوط به مواد شیمیایی اضافی
پتانسیل آب در PLA ثابت قانون هنری جذب آب نزدیک به آزمایش بود. 0.6 درصد (وزنی / وزنی)، مولکول های آب
ترجمه و بومی سازی بعدی به گروه استر قطبی در PLA به دلیل پیوند هیدروژنی. تحرک محلی در PLA که توسط نوسانات اتمی
به شدت در نزدیکی تریگلیسرید کاهش یافته بود، کاهش بیشتر با پیری در 298 K. انتشار غیر اینشتین آب به ارتباط با پیدا شد
چرخشی -آرامش گروه PLA C = O در 298 K. مدل جفت آرامش نفوذ به تازگی توسط نویسندگان پیشنهاد؟ داد
ضریب نفوذ (1.3 × 10-8 CM2 / s در 298 K) است که قابل مقایسه با مقادیر تجربی گزارش شده است. C؟ 2014 ویلی و انبارداری، شرکت و


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله ISI جذب آب، توزیع و تحرک در آمورف پلی (D، L-لاکتید) توسط مولکولی شبیه سازی دینامیک