نیک فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

نیک فایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

سمینار کارشناسی ارشد شیمی مدل سازی سینتیکی واکنش های فرایند visbreaking جهت ارتقا برشهای سنگین نفت

اختصاصی از نیک فایل سمینار کارشناسی ارشد شیمی مدل سازی سینتیکی واکنش های فرایند visbreaking جهت ارتقا برشهای سنگین نفت دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

سمینار کارشناسی ارشد شیمی مدل سازی سینتیکی واکنش های فرایند visbreaking جهت ارتقا برشهای سنگین نفت


سمینار کارشناسی ارشد شیمی مدل سازی سینتیکی واکنش های فرایند visbreaking  جهت ارتقا برشهای سنگین نفت

این محصول در قالب پی دی اف و 56 صفحه می باشد.

این سمینار جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد شیمی-فرآیند طراحی و تدوین گردیده است. و شامل کلیه موارد مورد نیاز سمینار ارشد این رشته می باشد. نمونه های مشابه این عنوان با قیمت بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این سمینار را با قیمت ناچیز جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه به منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده از منابع اطلاعاتی و بالا بردن سطح علمی شما در این سایت قرار گرفته است.


دانلود با لینک مستقیم


سمینار کارشناسی ارشد شیمی مدل سازی سینتیکی واکنش های فرایند visbreaking جهت ارتقا برشهای سنگین نفت

سمینار کارشناسی ارشد شیمی مرسریزاسیون و اولتراسونیک در نساجی

اختصاصی از نیک فایل سمینار کارشناسی ارشد شیمی مرسریزاسیون و اولتراسونیک در نساجی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

سمینار کارشناسی ارشد شیمی مرسریزاسیون و اولتراسونیک در نساجی


سمینار کارشناسی ارشد شیمی مرسریزاسیون و اولتراسونیک در نساجی

این محصول در قالب پی دی اف و 105 صفحه می باشد.

این سمینار جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد شیمی-شیمی نساجی طراحی و تدوین گردیده است. و شامل کلیه موارد مورد نیاز سمینار ارشد این رشته می باشد. نمونه های مشابه این عنوان با قیمت بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این سمینار را با قیمت ناچیز جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه به منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده از منابع اطلاعاتی و بالا بردن سطح علمی شما در این سایت قرار گرفته است.

چکیده:

هنگامی که عمل مرسریزاسیون پنبه انجام می گیرد سبب تغییراتی در ساختار سلولز گردیده به طوری که این فرآیند شیمیایی – فیزیکی سبب تورم قطری و کوتاه شدن طولی الیاف می گردد و این باعث ازدیاد شفافیت و جلای کالای سلولزی می گردد. انجام این عمل در محیط غیر مائی همچون محیط اولتراسونیک نیز موجب تغییراتی در ساختار سلولز می گردد. البته هر دو فرآیند تأثیرات ساختاری ماکرو و میکرویی مهمی در الیاف ایجاد می نماید نظیر تغییر ساختار کریستالی از سلولز I به سلولز II، تغییر چیدمان پیوندهای هیدروژنی و آرایش یافتگی زنجیرهای مولکولی.

ولی هم نحوه انجام عمل شامل مدت زمان انجام، میزان مصرف مواد مورد نیاز و همچنین مرفولوژی سطحی و داخلی سلولز متفاوت است. امروزه استفاده از امواج مافوق صوت در پروسه های مرطوب نساجی به دلیل مزایایی همچون کاهش آلودگی های زیست محیطی، کنترل پروسه، کاهش هزینه، گسترش یافته است.

در اینجا استفاده از این تکنولوژی در مرسریزاسیون مورد نظر می باشد و سعی در جمع آوری اطلاعاتی در رابطه با مرسریزاسیون و اولتراسونیک گردیده است تا بتوان با اطلاع از هر دو موضوع مورد بحث، به تغییرات ساختاری مرسریزاسیون پنبه در محیط اولتراسونیک با استفاده از روش های بررسی میزان مرسریزاسیون پرداخت.

مقدمه:

یکی از عملیاتی که روی پنبه انجام می شود، عمل مرسریزه می باشد که شامل تماس پنبه (اعم از نخ یا الیاف یا پارچه) با محلول سود سوزآور و سپس شستشوی محصول در محلول رقیق اسید و سپس آب سرد به منظور خنثی کردن قلیایی و سرانجام خشک کردن محصول است. بر اثر مرسریزاسیون درخشندگی و جلای پنبه افزایش می یابد و ویژگی های فیزیکی و شیمیایی آن تغییرات زیادی پیدا می کند.

معمولا پارچه های مرغوب پیراهنی، رومیزی، ملحفه ای همچنین نخ های قرقره مرسریزه می شوند. لذا با توجه به اهمیت زیاد این پروسه تلاش هایی جهت کاهش مدت زمان عملیات مرسریزاسیون، کاهش میزان مصرف سود و حصول نتایج بهتر در حین عملیات انجام پذیرفته و نیز در حال انجام می باشد.

بدین منظور استفاده از محیط دیگری غیر از محیط مائی همچون محیط حاصل از امواج مافوق صوت مورد استفاده و ارزیابی قرار گرفته است که به دلیل استفاده از این امواج در حین مرسریزاسیون، بتوان با صرف زمان کوتاه تر و غلظت سود کمتر به همان تغییرات ساختاری روش های معمول مرسریزاسیون برسیم که این ها سبب هزینه کمتر و اقتصادی شدن پروسه و احتمالا حصول نتایج بهتری می گردد.

فصل اول:

1- کالای پنبه ای

1-1- پنبه و ساختار سلولزی

الیاف پنبه در اصل پرزها یا به عبارتی الیافی هستند که از گیاه پنبه گرفته می شوند. به طور کلی عرض موجود برای الیاف پنبه به صورت میانگین 12 تا 20 میکرومتر می باشد که به صورت روبان شکل موجود دارد و زمانی که تیوپ درونی ماده جمع و خشک می شود باعث تولید تاب بر لیف گردیده و حالت روبان شکلی را ایجاد می نماید تعداد این تابها را به طور میانگین می توان متفاوت بین چهار تا شش تاب در هر میلی متر دانست.

الیاف پنبه از سه بخش تشکیل شده اند که عبارتند از:

– دیوار اولیه: با ضخامت کمتر از 0/5 میکرومتر، از فیبریل هایی تشکیل می شود که حول محور لیف به طرف راست و چپ پیچ می خورند. این فیبریل ها زاویه ای حدود 70 درجه با یکدیگر می سازند. دیواره اولیه را سلولز، پکتین، واکس ها و مواد معدنی تشکیل می دهند.

– دیواره ثانویه: در ساختمان تک سلولی پنبه که از یک سری سیلندرهای متحدالمرکز تشکیل شده است اولین لایه دیواره ثانویه است. لایه های فیبریلی دیواره ثانویه با یکدیگر زاویه 30 درجه ساخته و مثل فیبریل های دیواره اولیه با تعویض جهت حول محور لیف پیچ می خورند. ضخامت دیواره ثانویه برابر با 3 – 5 میکرومتر می باشد که به سه لایه تقسیم می شوند S1,S2,S3 که در این تقسیم بندی لایه ای که اکثریت ضخامت را در برگرفته است S2 بوده که دارای ضخامت 2 تا 4 میکرومتر می باشد.

این لایه از لاملایی از دسته فیبریل های نانویی که دارای اتصال با یکدیگر هستند تشکیل شده است و دارای آرایش یافتگی متفاوتی نسبت به محور لیف می باشند. این دسته های فیبریلی دارای فیبریل های ابتدایی با ساز لایه 5 – 8 نانومتر می باشند و با آرایش یافتگی مارپیچی و پله ای نسبت به محور الیاف قرار گرفته اند.


دانلود با لینک مستقیم


سمینار کارشناسی ارشد شیمی مرسریزاسیون و اولتراسونیک در نساجی

سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی جریان نشتی درین القاء شده از گیت (GIDL) و کاهش نشت توان با کنترل GIDL در ترانزیستور MOSFET

اختصاصی از نیک فایل سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی جریان نشتی درین القاء شده از گیت (GIDL) و کاهش نشت توان با کنترل GIDL در ترانزیستور MOSFET دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی جریان نشتی درین القاء شده از گیت (GIDL) و کاهش نشت توان با کنترل GIDL در ترانزیستور MOSFET


سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی جریان نشتی درین القاء شده از گیت (GIDL) و کاهش نشت توان با کنترل GIDL در ترانزیستور MOSFET

این محصول در قالب پی دی اف و 106 صفحه می باشد.

این سمینار جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق-الکترونیک طراحی و تدوین گردیده است . و شامل کلیه مباحث مورد نیاز سمینار ارشد این رشته می باشد.نمونه های مشابه این عنوان با قیمت های بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این سمینار را با قیمت ناچیزی جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه با منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده ازمنابع اطلاعاتی و بالابردن سطح علمی شما در این سایت ارائه گردیده است.

چکیده:

در بسیاری از طرح های با کارآیی بالای جدید، اهمیت نشت توان مصرفی قابل مقایسه با سرعت کلیدزنی است. گزارش شده است 40% یا حتی بیشتر توان مصرفی کل ناشی از نشت ترانزیستورها می باشد. این درصد با مقیاس بندی تکنولوژی افزایش می یابد مگر اینکه تکنیک های موثری برای کنترل نشتی معرفی گردد، هدف از این مطالعه بهینه سازی و طراحی تکنیک های جدید برای کنترل جریان نشتی درین القاء شده از گیت (GIDL) و به دنبال آن کاهش نشت توان است.

مقدمه:

با پیشرفت سریع در فناوری ساخت افزاره های نیمه هادی، چگالی تراشه ها و سرعت آنها افزایش یافته است. کنترل توان مصرفی در افزاره های قابل حمل مسئله ای اساسی است. توان مصرفی بالا طول عمر باتری موجود در این افزاره ها را کاهش می دهد. کاهش توان تلفاتی حتی برای افزاره های غیرقابل حمل، نیز مهم می باشد زیرا افزایش توان تلفاتی منجر به افزایش چگالی بسته بندی و هزینه های خنک سازی می شود.

افزاره های الکترونیکی قابل حمل به علت پیچیدگی ساختار، بیش از یک تک تراشه VLSI را به خود اختصاص می دهند. بیشتر توان تلفاتی در یک افزاره الکترونیکی قابل حمل، شامل مولفه های غیر دیجیتال است. تکنیک های موثر برای کاهش توان تلفاتی در چنین سامانه هایی که مربوط به قطع یا کاهش مولفه های نشتی است مدیریت توان دینامیک خوانده می شود. در سامانه های قدیمی ممکن است چندین طرح مدیریت توان دینامیک استفاده شود که یکی کردن آنها کار دشواری است و ممکن است نیاز به تکرار خیلی از طرح ها و اشکال زدایی داشته باشد. توان تلفاتی IC مولفه های مختلفی دارد و به نوع عملکرد مدار وابسته است.

اولا، کلیدزنی یا مولفه توان دینامیک در طول مد فعال عملکرد، غالب می شوند. ثانیا، دو منبع نشت اولیه وجود دارد: نشت فعال و نشت حالت انتظار. نشت حالت انتظار ممکن است با تغییر با یاس بدنه یا قطع متناوب توان کوچکتر از نشت فعال شود.

کاهش ولتاژ (VDD) شاید موثرترین روش ذخیره توان به علت وابستگی مربعی توان فعال مدار دیجیتال به منبع ولتاژ باشد. متاسفانه، کاهش VDD، سرعت افزاره را کاهش می دهد زیرا ولتاژ راه انداز گیت، VGS- , VT کاهش می یابد. برای مقابله با این مشکل، یک بهینه سازی روی VDD انجام شده و کمترین کاهش VDD برای اغناع کردن احتیاجات سرعتی مدار به کار گرفته می شود. کاهش منابع ولتاژ، در هر تولید تکنولوژی به کاهش توان تلفاتی دینامیک مدارهای منطقی CMOS کمک می کند. کاهش منابع ولتاژ، تأخیر گیت ها را افزایش می دهد مگر اینکه ولتاژ آستانه ترانزیستورها نیز کاهش یابد که این نیز موجب افزایش جریان نشتی ترانزیستورها می شود. در نتیجه کاهش VDD تلفات توان دینامیک را کاهش می دهد ولی تلفات توان استاتیک را زیاد می کند. بنابراین یک مصالحه واضح بین نشت حالت خاموش (توان استاتیک) و توان فعال (توان دینامیک) برای کاربردهای مشخص وجود دارد، که منجر به دقت در انتخاب VT و VDD می شود. مجتمع سازی افزاره منجر به ترکیب بسیاری از وظایف روی یک تراشه می شود، بنابراین فهم نقطه بهینه و قابل کاربرد VT و VDD برای همه بلوک های مداری روی یک تراشه سخت و مشکل می باشد. در نتیجه، تکنیک های طراحی، می توانند با بلوک های مداری تغییر کنند.

 


دانلود با لینک مستقیم


سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی جریان نشتی درین القاء شده از گیت (GIDL) و کاهش نشت توان با کنترل GIDL در ترانزیستور MOSFET

سمینار کارشناسی ارشد برق مطالعه روش های شناسایی مرکز تولید هارمونیک

اختصاصی از نیک فایل سمینار کارشناسی ارشد برق مطالعه روش های شناسایی مرکز تولید هارمونیک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

سمینار کارشناسی ارشد برق مطالعه روش های شناسایی مرکز تولید هارمونیک


سمینار کارشناسی ارشد برق مطالعه روش های شناسایی مرکز تولید هارمونیک

این محصول در قالب پی دی اف و 95 صفحه می باشد.

این سمینار جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق-قدرت طراحی و تدوین گردیده است . و شامل کلیه مباحث مورد نیاز سمینار ارشد این رشته می باشد.نمونه های مشابه این عنوان با قیمت های بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این سمینار را با قیمت ناچیزی جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه با منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده ازمنابع اطلاعاتی و بالابردن سطح علمی شما در این سایت ارائه گردیده است.

 


دانلود با لینک مستقیم


سمینار کارشناسی ارشد برق مطالعه روش های شناسایی مرکز تولید هارمونیک

سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی روشهای جدید و مدرن کنترل موتورهای القایی

اختصاصی از نیک فایل سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی روشهای جدید و مدرن کنترل موتورهای القایی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی روشهای جدید و مدرن کنترل موتورهای القایی


سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی روشهای جدید و مدرن کنترل موتورهای القایی

این محصول در قالب پی دی اف و 121 صفحه می باشد.

این سمینار جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق-قدرت طراحی و تدوین گردیده است . و شامل کلیه مباحث مورد نیاز سمینار ارشد این رشته می باشد.نمونه های مشابه این عنوان با قیمت های بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این سمینار را با قیمت ناچیزی جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه با منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده ازمنابع اطلاعاتی و بالابردن سطح علمی شما در این سایت ارائه گردیده است.

چکیده:

دو روش کنترل بدون سانسور بنام های MRAS مدل مرجع تطبیقی سیستم و LO ناظر لونبرگر برای مشخصه های کنترل سرعت و گشتاور مقایسه می شوند. برای شبیه سازی سیستم درایو. گشتاور و سرعت بدست آمده از کنترل بدون سنسور با مقادیر بدست آمده از روش کنترل برداری یکسان هستند. اگرچه موج های گشتاور در روش بدون سنسور بیشتر از روش کنترل برداری مشاهده می شوند. روش MRAS در مقایسه با روش ها موج گشتاور بیشتری نشان می دهد. در مجموع روش تخمین سرعت به کار رفته در کنترل بدون سنسور در متغیرهای پارامترهای موتور دارای حساسیت بیشتری است.


دانلود با لینک مستقیم


سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی روشهای جدید و مدرن کنترل موتورهای القایی