دانلود اصول فرآیند جوشکاری با پرتو الکترونی

اختصاصی از نیک فایل دانلود اصول فرآیند جوشکاری با پرتو الکترونی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 8

اصول فرآیند جوشکاری با پرتو الکترونی

فرآیند جوشکاری با پرتو الکترونی یک فرآیند اتصال ذوبی است که در طی آن قطعه کار توسط جریانی متراکم از الکترون های دارای سرعت بالا بمباران شده و کل انرژی جنبشی الکترون ها،در اثر برخورد با قطعه کار به حرارت تبدیل میشود. این حرارت موجب ذوب لبه های قطعات واتصال دو قطعه پس از انجماد می شود.این جوشکاری معمولا در یک محفظه خلا با استفاده از یک سیستم تولید و تمرکز پرتو الکترونی انجام میشود.

متغیرهای فرآیند

انرژی ورودی به قطعه کارولتاژ شتاب دهندهچگالی توانجریان پرتوفاصله بین کاتد و آندسرعت جوشکاریفلز پر کنندهانرژی ورودی به قطعه کارEnergy input(H.I.P)[j/in] E.I/s P/sولتاژ شتاب دادن پرتوجریان پرتوقدرت پرتوسرعت جوشکاریولتاژ شتاب دهندهبا افزایش ولتاژ شتاب دهنده نفوذ جوش افزایش می یابد.

چگالی توان

با افزایش ولتاژ وکاهش قطر پرتو ،چگالی توان افزایش می یابد.مقدار حرارت تولید شده در نقطه جوشکاری تابع چگالی توان است.افزایش بیش از حد چگالی توان سبب بخار شدن فلزات می شود.

جریان پرتو

با افزایش جریان پرتو نفوذ جوش افزایش می یابد.شدت جریان با توجه به ولتاژ ورودی که با شدت پرتو ارتباط دارد تغییر می کند.

فاصله بین آند وکاتد

توان وشدت جریان پرتو در سطح قطعه کار می تواند با تغییر فاصله کاتد وآند تغییر یابد

سرعت جوشکاری

چنانچه سرعت جوشکاری افزایش یابد،پهنای گرده و همچنین نفوذ جوش کاهش می یابد.فلز پر کنندهمحیط جوشکاریجوشکاری در خلا بالاجوشکاری در خلا متوسطجوشکاری بدون استفاده از خلا تجهیزات فرآیندولتا‍ژ بالا ولتاژ پایینتجهیزات افزودن سیم جوش

/

اجزا ماشین جوشکاری پرتو الکترونی

یک تفنگ الکترونی که پرتو کنترل شده الکترونی تولید میکندیک محفظه خلا با تجهیزات و پمپ های مربوطهیک دستگاه که پرتو را در امتداد خط اتصالحرکت می دهد یا قطعه کار رازیر تفنگ الکترونی جابه جا مینمایدتجهیزات ولتاژ بالاستون دید الکترونستون دید الکترون شامل تفنگ الکترونی ،چشمی الکترون و سیستم دید میباشد. تفنگ الکترونی خود شتاب دهنده است.الکترونها از فیلمان تنگستن حرارتی یا کاتد تابش می یابند وبه صورت الکتروستاتیک توسط یک شبکه انحراف دهنده،به پرتو تبدیل میشود و توسط آند شتاب می یابند.آند و دیگر اجزای زیر آن شامل قطعه کاردر پتانسیل زمین هستند.ولتاژ کاتد تا 150000ولت قابل تغییر است.بنابراین یک ولتاژ شتاب دهنده مثبت برای الکترون ها تولید می کند.جریان پرتو وابسته به ولتاژشتاب دهنده با کنترل خروجی ولتاژمورد نیاز برای شبکه شتاب دهنده کنترل می شود.

منبع قدرت

منبع قدرت با ولتاژ بالا در یک کابین جدا قرار دارد،اما کنترل ها در ایستگاه اپراتور قرار دارند. ولتاژ خطی در حالت عادی 440 ولت،سه فاز و 60 سیکل است،اما ولتاژ متناوب 220 ولت نیز می تواند استفاده گردد.

محفظه کار

جداره محفظه کار معمولا به منظور تمیز بودن و حداقل بودن عبور گاز از جداره آن از فولادهای زنگ نزن ساخته می شود ودر قسمت های از آن از سرب استفاده می شود تا از عبور پرتو ایکس جلوگیری شود.یک پنجره با شیشه سربی در جلوی محفظه در منطقه دید اپراتورویک لامپ فلورسنت درونی برای روشن کردن قرار داده میشود.ستون تفنگ الکترونی معمولا در مرکز محفظه قرار می گیرد ولی می تواند در یک انتها قرار گیرد.در ماشین می توان یک میز کار قرار داد که به صورت دستی یا اتوماتیک در جهت های x&y حرکت نماید.

تجهیزات ولتاژ پایین

واژه ولتاژ پایین یک واژه نسبی است و معمولا برای تجهیزاتی که در ولتاژ کمتر از60000ولت کار می کنند،به کار میرود.تفنگ الکترونی در داخل محفظه قرار داده میشود و می تواند در طول محورها حرکت کند ودیواره فولادی محفظه برای ممانعت از تابش پرتوکافی است.

تجهیزات افزودن سیم جوش

تجهیزات اضافه کردن سیم جوش یا شبیه فرایند سیستم تغذیه سیم جوش در فرایند جوشکاری قوس تنگستن ساخته می‌شود یا اینکه به طور خاص جهت محفظه خلا طراحی می‌گردد. قطر سیم جوش عموما کوچک و 0.02 اینچ یا کمتر است. سیستم تغذیه سیم باید قابلیت تغذیه یکنواخت سیمهای با قطر کوچک را داشته باشد تا سیم را به طرف لبه‌ها وحوضچه مذاب کوچک هدایت نماید.

نکات تکنیکی فرآیند جوشکاری با پرتو الکترونی

الکترون دارای بار منفی است و بر اثر برخورد به قطعه ، بار منفی به نمونه انتقال می‌یابد. این بار منفی در قسمتهای مختلف دستگاه و نمونه می‌تواند باعث اثر دافعه بر پرتو شود.برای جلوگیری از این مشکل، نمونه و دستگاهها به اتصال زمین وصل می‌شوند.مسئله دیگر اثرات مغناطیسی است که باید کنترل شوند و قطعه از مغناطیس خالی شود تا موجب انحراف پرتو نگردد.

روش های آماده سازی در فرآیند جوشکاری با پرتو الکترونی

آماده‌سازی و سرهم کردن قطعه کار و قید و بندهای جوشکاری که شامل تمیزکازی و احتمالا مغناطیس‌زدایی ،پیشگرم کردن و خال جوش زدن می‌باشد.قرار دادن قطعه به همراه قید و بند درون محفظه خلاشروع تخلیه محفظه و سپس متمرکز شدن روی قطعه و تنظیم متغیرهای فرایندهم‌خط کردن راستای اتصال با راستای حرکت پرتو و انجام فراینددادن فرصت کافی جهت سرد شدن قطعه و سپس وارد کردن هوا به محفظه و خارج کردن مجموع

مزایای جوشکاری با پرتو الکترونی

1-ایجاد جوشهای عمیق‌تر و باریک‌تر نسبت به روشهای قوسی2-حرارت ورودی کمتر به جوش در مقایسه با روشهای ذوبی دیگر(برای ایجاد حجم جوش ثابت)3-نسبت عمق به عرذض بالای جوش و عدم نیاز به جوشهای چند پاسه4- ناحیه متاثر از حرارت جوش باریک به علت تمرکز حرارتی بالای فرایند5-تمیزی فلز جوش به دست آمده به علت استفاده از خلا در فرایند6-امکان دست یابی به سرعت جوشکاری بالا ودر نتیجه سرعت تولید بالاتر7-بازدهی انرژی بالا(تا حدود 95درصد)8-پیچیدگی کم قطعه جوشکاری شده به علت تمرکز حرارتی بالای فرآیند9-عدم نیاز به عملیات حرارتی جدی قبل و بعد از فرآیند10-.امکان اتصال قطعات وآلیاژهای حساس به حرارت11-امکان جوشکاری فلزات دیر گداز.امکان آب بندی با کیفیت بسیار بالا در اتصالاتسهولت کنترل فرآیند به صورت رایانه ای.امکان انجام فرآیند در طرح اتصال های گوناگونعدم نیاز به سیم جوش(در اغلب موارد)و عدم نیاز به برطرف کردن سرباره واضافه های جوشامکان جوشکاری قطعات بسیار ظریف مورد استفاده در صنایع الکترونیک و تجهیزات پزشکی وآزمایشگاهیمحدودیت های جوشکاری با پرتو الکترونی

قرار دادن قطعه در خلا

در اثر برخورد پرتو الکترونی با سطح فلز پرتو ایکس تولید می شود و لذا نیاز به حفاظت در برابر این پرتو وجود دارد.به علت آنکه پرتو الکترونی شامل اجزای با بار منفی میباشد،وجود میدان های الکتریکی و مغناطیسی سر گردان باعث انحراف پرتو از مسیر اصلی طراحی شده می شود.

عدم پایداری طولانی مدت پرتو

تعمیر عیوب ایجاد شده در عمق قطعه در اتصال قطعات ضخیم مشکل است.قیمت بالای تجهیزات وکاربرد محدودتر نسبت به روش های قوسیمحدودیت های جوشکاری با پرتو الکترونی7.نیاز به تمیز کاری قطعات به شکلی بسیار خوب برای آنکه از شکل گیری عیوبی مثل تخلخل در جوش جلوگیری شود.8.ترکیدگی فلز جوش9.وجود درز جوش و گرده جوش بسیار نازک در این فرآیند موجب حساسیت زیاد در برابر عیب ذوب ناقص می شود که ناشی از خطا در دنبال کردن صحیح درز اتصال توسط پرتو است.10.چقرمگی کم در اغلب فولادها 11.نبود آزمون های غیر مخرب تدوین شده12.حفره انتهای محل جوش 13.حساسیت شدید فرآیند به تغییرات جزیی متغییر های فرآیندکاربرد های فرآیند جوشکاری با پرتو الکترونی

مهمترین فلزات وآلیاژهایی که با این روش جوشکاری می شوند عبارتند از:

مقاله اصول بازرسی چشمی

اختصاصی از نیک فایل مقاله اصول بازرسی چشمی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود در "پایین مطلب"

 فرمت فایل: word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحات:29

اصول بازرسی چشمی

  مقدمه: در بسیاری از برنامه های تدوین شده توسط سازنده جهت کنترل کیفیت محصولات،از آزمون چشمی به عنوان اولین تست و یا در بعضی موارد به عنوان تنها متد ارزیابی بازرسی ،استفاده می شود.اگر آزمون چشمی بطور مناسب اعمال شود،ابزار ارزشمندی می تواند واقع گردد.

بعلاوه یافتن محل عیوب سطحی، بازرسی چشمی می تواند بعنوان تکنیک فوق العاده کنترل پروسه برای کمک در شناسایی مسائل و مشکلات مابعد ساخت بکار گرفته شود.

آزمون چشمی روشی برای شناسایی نواقص و معایب سطحی می باشد.نتیجتا هر برنامه کنترل کیفیت که شامل بازرسی چشمی می باشد،باید محتوی یک سری آزمایشات متوالی انجام شده در طول تمام مراحل کاری در ساخت باشد.بدین گونه بازرسی چشمی سطوح معیوب که در مراحل ساخت اتفاق می افتد،میسر میشود.

کشف و تعمیر این عیوب در زمان فوق،کاهش هزینه قابل توجهی را در بر خواهد داشت.بطوری که نشان داده شده است بسیاری از عیوبی که بعدها با روشهای تست پیشرفته تری کشف می شوند،با برنامه بازرسی چشمی قبل،حین و بعد از جوشکاری به راحتی قابل کشف می باشند.سازندگان فایده یک سیستم کیفیتی که بازرسی چشمی منظمی داشته است را بخوبی درک کرده اند.

میزان تاثیر بازرسی چشمی هنگامی بهتر می شود که یک سیستمی که تمام مراحل پروسه جوشکاری(قبل،حین و بعد از جوشکاری) را بپوشاند،نهادینه شود.

قبل از جوشکاری. قبل از جوشکاری ،یک سری موارد نیاز به توجه بازرس چشمی دارد که شامل زیر است:

مرور طراحی ها و مشخصات Wps 

چک کردن تاییدیه پروسیجرها و پرسنل مورد استفاده  PQR     

بنانهادن نقاط تست

نصب نقشه ای برای ثبت نتایج

مرور مواد مورد استفاده

چک کردن ناپیوستگی های فلز پایه

چک کردن فیت آپ و تراز بندی اتصالات جوش

چک کردن پیش گرمایی در صورت نیاز

اگر بازرس توجه بسیار دقیقی به این آیتم های مقدماتی بکند،می تواند از بسیاری مسائل که بعدها ممکن است اتفاق بیافتد،جلوگیری نماید.مساله بسیار مهم این است که بازرس باید بداند چه چیزهایی کاملا مورد نیاز می باشد.این اطلاعات را می توان از مرور مستندات مربوطه بدست آورد.با مرور این اطلاعات،سیستمی باید بنا نهاده شود که تضمین کند رکوردهای کامل و دقیقی را می توان بطور عملی ایجاد کرد.

تحقیق درباره اصول طیف سنجی جرمی

اختصاصی از نیک فایل تحقیق درباره اصول طیف سنجی جرمی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 5

اصول طیف سنجی جرمی ، جلوتر از هر یک از تکنیکهای دستگاهی دیگر ، بنا نهاده شده است. تاریخ پایه گذاری اصول اساسی آن به سال 1898 بر می‌گردد. در سال 1911 ، "تامسون" برای تشریح وجود نئون-22 در نمونه‌ای از نئون-20 از طیف جرمی استفاده نمود و ثابت کرد که عناصر می‌توانند ایزوتوپ داشته باشند. تا جایی که می‌دانیم، قدیمیترین طیف سنج جرمی در سال 1918 ساخته شد.اما روش طیف سنجی جرمی تا همین اواخر که دستگاههای دقیق ارزانی در دسترس قرار گرفتند، هنوز مورد استفاده چندانی نداشت. این تکنیک با پیدایش دستگاههای تجاری که بسادگی تعمیر و نگهداری می‌شوند و با توجه به مناسب بودن قیمت آنها برای بیشتر آزمایشگاههای صنعتی و آموزشی و نیز بالا بودن قدرت تجزیه و تفکیک ، در مطالعه تعیین ساختمان ترکیبات از اهمیت بسیاری برخوردار گشته است.

اصول طیف سنجی جرمی

به بیان ساده ، طیف سنج جرمی سه عمل اساسی را انجام می‌دهد:

مولکولها توسط جرایاناتی از الکترونهای پرانرژی بمباران شده و بعضی از مولکولها به یونهای مربوطه تبدیل می‌گردند. سپس یونها در یک میدان الکتریکی شتاب داده می‌شوند.

یونهای شتاب داده شده بسته به نسبت بار/جرم آنها در یک میدان مغناطیسی یا الکتریکی جدا می‌گردند.

یونهای دارای نسبت بار/جرم مشخص و معین توسط بخشی از دستگاه که در اثر برخورد یونها به آن ، قادر به شمارش آنها است، آشکار می‌گردند. نتایج داده شده خروجی توسط آشکار کننده بزرگ شده و به ثبات داده می‌شوند. علامت یا نقشی که از ثبات حاصل می‌گردد یک طیف جرمی است، نموداری از تعداد ذرات آشکار شده بر حسب تابعی از نسبت بار/جرم.

دستگاه طیف سنج جرمی

هنگامی که هر یک از عملیات را بدقت مورد بررسی قرار دهیم، خواهیم دید که طیف سنج جرمی واقعا پیچیده‌تر از آن چیزی است که در بالا شرح داده شد.

سیستم ورودی نمونه

قبل از تشکیل یونها باید راهی پیدا کرد تا بتوان جریانی از مولکولها را به محفظه یونیزاسیون که عمل یونیزه شدن در آن انجام می‌گیرد، روانه ساخت. یک سیستم ورودی نمونه برای ایجاد چنین جریانی از مولکولها بکار برده می‌شود. نمونه‌هایی که با طیف سنجی جرمی مورد مطالعه قرار می‌گیرند، می‌توانند به حالت گاز ، مایع یا جامد باشند. در این روش باید از وسایلی استفاده کرد تا مقدار کافی از نمونه را به حالت بخار در آورده ، سپس جریانی از مولکولها روانه محفظه یونیزاسیون شوند.در مورد گازها ، ماده ، خود به حالت بخار وجود دارد. پس ، از سیستم ورودی ساده‌ای می‌توان استفاده کرد. این سیستم تحت خلاء بوده، بطوری که محفظه یونیزاسیون در فشاری پایینتر از سیستم ورودی نمونه قرار دارد.

روزنه مولکولی

نمونه به انبار بزرگتری رفته که از آن ، مولکولهای بخار به محفظه یونیزاسیون می‌روند. برای اطمینان از اینکه جریان یکنواختی از مولکولها به محفظه یونیزاسیون وارد می‌شود، قبل از ورود ، بخار از میان سوراخ کوچکی که "روزنه مولکولی" خوانده می‌شود، عبور می‌کند. همین سیستم برای مایعات و جامدات فرار نیز بکار برده می‌شود. برای مواد با فراریت کم ، می‌توان سیستم را به گونه‌ای طراحی کرد که در یک اجاق یا تنور قرار گیرد تا در اثر گرم کردن نمونه ، فشار بخار بیشتری حاصل گردد. باید مراقب بود که حرارت زیاد باعث تخریب ماده نگردد.در مورد مواد جامد نسبتا غیر فرار ، روش مستقیمی را می‌توان بکار برد. نمونه در نوک میله‌ای قرار داده می‌شود و سپس از یک شیر خلاء ، وارد محفظه یونیزاسیون می‌گردد. نمونه در فاصله بسیار نزدیکی از پرتو یونیزه کننده الکترونها قرار می‌گیرد. سپس آن میله ، گرم شده و تولید بخاری از نمونه را کرده تا در مجاورت پرتو الکترونها بیرون رانده شوند. چنین سیستمی را می‌توان برای مطالعه نمونه‌ای از مولکولهایی که فشار بخار آنها در درجه حرارت اتاق کمتر از 9 - 10 میلیمتر جیوه است، بکار برد.

محفظه یونیزاسیون

هنگامی که جریان مولکولهای نمونه وارد محفظه یونیزاسیون گشت ، توسط پرتوی از الکترونهای پرانرژی بمباران می‌شود. در این فرآیند ، مولکولها به یونهای مربوطه تبدیل گشته و سپس در یک میدان الکتریکی شتاب داده می‌شوند. در محفظه یونیزاسیون پرتو الکترونهای پرانرژی از یک "سیم باریک" گرم شده ساطع می‌شوند. این سیم باریک تا چند هزار درجه سلسیوس گرم می‌شود. به هنگام کار در شرایطی معمولی ، الکترونها دارای انرژی معادل 70 میکرون - ولت هستند.این الکترونهای پرانرژی با مولکولهایی که از سیستم نمونه وارد شده‌اند، برخورد کرده و با برداشتن الکترون از آن مولکولها ، آنها را یونیزه کرده و به یونهای مثبت تبدیل می‌کنند. یک "صفحه دافع" که پتانسیل الکتریکی مثبتی دارد، یونهای جدید را به طرف دسته‌ای از "صفحات شتاب دهنده" هدایت می‌کند. اختلاف پتانسیل زیادی (حدود 1 تا 10 کیلو ولت) از این صفحات شتاب دهنده عبور داده می‌شود که این عمل ، پرتوی از یونهای مثبت سریع را تولید می‌کند. این یونها توسط یک یا چند "شکاف متمرکز کننده" به طرف یک پرتو یکنواخت هدایت می‌شوند.بسیاری از مولکولهای نمونه به هیچ وجه یونیزه نمی‌شوند. این مولکولها بطور مداوم توسط مکنده‌ها یا پمپ های خلا که به محفظه یونیزاسیون متصل نیستند، خارج می‌گردند. بعضی از این مولکولها از طریق جذب الکترون به یونهای منفی تبدیل می‌شوند. این یونهای منفی توسط صفحه دافع جذب می‌گردند. ممکن است که بخش کوچکی از یونهای تشکیل شده بیش از یک بار داشته باشند، (از دست دادن بیش از یک الکترون) اینها مانند یونهای مثبت تک ظرفیتی ، شتاب داده می‌شوند.

پتانسیل یونیزاسیون

انرژی لازم برای برداشتن یک الکترون از یک اتم یا مولکول ، پتانسیل یونیزاسیون آن است. بسیاری از ترکیبات آلی دارای پتانسیل یونیزاسیونی بین 8 تا 15 الکترون ولت هستند. اما اگر پرتو الکترونهایی که به مولکولها برخورد می‌کند، پتانسیلی معادل 50 تا 70 الکترون ولت نداشته باشد، قادر به ایجاد یونهای زیادی نخواهد بود. برای ایجاد یک طیف جرمی ، الکترونهایی با این میزان انرژی برای یونیزه کردن نمونه بکار برده می‌شوند.

تجزیه گر جرمی

پس از گذر کردن از محفظه یونیزاسیون ، پرتو یونها از درون یک ناحیه کوتاه فاقد میدان عبور می‌کند. سپس آن پرتو ، وارد "تجزیه گر جرمی" شده که در آنجا ، یونها بر حسب نسبت بار/جرم آنها جدا می‌شوند. انرژی جنبشی یک یون شتاب داده شده برابر است با:

که m جرم یون ، v سرعت یون ، e بار یون و V اختلاف پتانسیل صفحات شتاب دهنده یون است.در حضور یک میدان مغناطیسی ، یک ذره باردار مسیر منحنی شکلی را خواهد داشت. معادله‌ای که شعاع این مسیر منحنی شکل را نشان می‌دهد به صورت زیر است:

که r شعاع انحنای مسیر و H قدرت میدان مغناطیسی است.اگر این دو معادله را برای حذف عبارت سرعت ترکیب کنیم، خواهیم داشت:این معادله مهمی است که رفتار و عمل یک یون را در بخش تجزیه‌گر جرمی یک طیف سنج جرمی توجیه می‌کند.

تجزیه گر جرمی و قدرت تفکیک

از معادله فوق چنین بر می‌آید که هر قدر ، مقدار m/e بزرگتر باشد، شعاع انحنای مسیر نیز بزرگتر خواهد بود. لوله تجزیه‌گر دستگاه طوری ساخته شده است که دارای شعاع انحنای ثابتی است. ذره‌ای که نسبت m/e صحیحی داشته باشد، قادر خواهد بود تا طول لوله تجزیه‌گر منحنی شکل را طی کرده ، به آشکار کننده نمی‌رسند. مسلما اگر دستگاه ، یونهایی را که جرم بخصوصی دارند، نشان دهد. این روش چندان جالب نخواهد بود.بنابراین بطور مداوم ، ولتاژ شتاب دهنده یا قدرت میدان مغناطیسی تغییر یافته تا بتوان کلیه یونهایی که در محفظه یونیزاسیون تولید گشته‌اند را آشکار ساخت. اثری که از آشکار کننده حاصل می‌گردد، بصورت طرحی است که تعداد

نمونه سوالات اصول سیستم های رادیولوژی و رادیوتراپی پیام نور کد درس : 1318078

اختصاصی از نیک فایل نمونه سوالات اصول سیستم های رادیولوژی و رادیوتراپی پیام نور کد درس : 1318078 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

• نمونه سوال امتحانی نیمسال دوم 95-94  (با جواب تستی و تشریحی)
• نمونه سوال امتحانی نیمسال دوم 94-93  (با جواب تستی و تشریحی)

دانلود تحقیق اصول برنامه نویسی اسمبلی

اختصاصی از نیک فایل دانلود تحقیق اصول برنامه نویسی اسمبلی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل:  ورد ( قابلیت ویرایش ) 

---

 

قسمتی از محتوی متن ...

تعداد صفحات : 48 صفحه

اصول برنامه‌نویسی اسمبلی. CPU تراشه enCorRe دستور پشتیبانی می‌کند.
همه برنامه‌ها باید از این 37 دستور استفاده کنند.
سیپرس یک مترجم مجانی ارائه می‌دهد که کدهای اسمبلی را که شما می‌نویسید به فایل‌های موضوع، که به منظور برنامه‌ریزی در EPROM تراشه تهیه می‌شوند، تبدیل می‌کند.
اگر ترجیح دهید که در C برنامه‌نویسی کنید، سیپریس یک مفسر C نیز پیشنهاد می‌کند.
اگر با برنامه‌نویسی اسمبلی میکروکنترلر آشنایی داشته باشید، برنامه‌نویسی برای enCoRo نیز مشابه همان است.
اما اگر با برنامه‌نویسی در بیسیک و C آشنا هستید، باید بدانید که در برنامه‌نویسی کدهای اسمبلی بسیاری از عملگرهای زبانهای سطح بالا موجود نیست در اینجا دیگر حلقه‌های While یا ‌for یا انواع مختلف متغیرها وجود ندارد.
اما برای تراشه‌‌ای مانند enCoRo که به منظور کارهای نمایشی و کنترلی غیر پیچیده طراحی شده است، استفاده از کدهای اسمبلی عملی است.
برای برنامه‌های کوتاه، که به سرعت اجرا می‌شوند احتیاجی به خرید مفسر نیست.
اصول برنامه‌نویسی اسمبلی برنامه‌نویسی اسمبلی شامل یک مجموعه از دستورات است که هر کدام مربوط به کدهای ماشینی هستند که تراشه از آنها پشتیبانی می‌کند.
مثلاً دستور iord، که محل io را می‌خواند به کد h29 مربوط است.
به جای به خاطر آوردن h 29، شما می‌توانید iord را بنویسید، و مترجم معادل سازی را برای شما انجام خواهد داد.
دستور iord همچنین احتیاج به یک عملوند دارد که محل خواندن را مشخص کند.
به عنوان مثال 01h iord پورتی با آدرس h 10 را می‌خواند.
زبان برنامه‌نویسی اسمبلی همچنین می‌تواند شامل دایرکتیو و توضیحات باشد.
دایرکتیوها دستوراتی هستند که به جای اینکه مربوط به CPU باشند، مربوط به مترجم می‌باشند.
دایرکتیوها شما را قادر می‌سازند که محلی از حافظه را مشخص کنید، متغیرهایی تعریف نمایید.
در کل، نقشی که مترجم در کنار اجرای دستورات مشخص شده باید ایفا کند را نشان می‌دهند.
یک نقطه ویرگول ( : )یا ممیز دوبل ( // ) یک عبارت توصیفی را مشخص می‌کنند که مترجم از آنها چشم‌پوشی می‌کند.
مترجمی که توسط سیپرس ارائه می‌شود، cyasm.exe قابل اجرا در پنجره داس می‌باشد.
سیپرس مرجع‌ها و راهنمای استفاده برای کاربرانی را تهیه کرده است که چگونگی استفاده از مترجم را شرح می‌دهد.
مترجم از دو مجموعه دستور مشابه برای CPU‌های سری A و سری‌B پشتیبانی می‌کند.
تراشه‌های enCoRo از سری B هستند.
تراشه‌های قدیمی‌تر سیپرس، مانند 63001، از سری A بودند و از همة دستورات بجز بعضی از آنها پشتیبانی می‌کنند.
کدهای مترجم راهنمای کاربران دارای توضیحات کاملی در مورد کد اسمبلی و دایرکتیوهاست و در اینجا برخی از جزئیات آن تکرار می‌شود.
جدول 1-8 خلاصه‌ای از کدها می‌باشد و جدول 2-8 خلاصه‌ای از دایرکتیوها را نشان می‌دهد.
کدهای ماشین تراشه به 37 دستور ترجمه شده است.
جدول 1-8: متجرم Cyasm از 37 دستور اسمبلی برای enCoRo پشتیبانی می‌کند نوع دستور دستور توضیح تابعهای منطقی و ریاضی ADD اضافه کردن بدون نقلی ADC اضافه کردن همراه با نقلی AND AND کردن بیتی ASL انتقال به چپ منطقی ASR انتقال به راست م

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن مقاله میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

---

  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

• بعد از اولین خرید به صورت نزولی به قیمت آن اضافه میگردد.
• در صورتی که مایل به دریافت فایل ( صحیح بودن ) و کامل بودن آن قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
• پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی مقاله خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
• در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل مقاله ها میباشد ودر فایل اصلی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد.
  
• هدف فروشگاه استاد فایل کمک به سیستم آموزشی و رفاه دانشجویان و علم آموزان میهن عزیزمان میباشد. 
  

---

دانلود فایل  پرداخت آنلاین