دانلود تحقیق کامل درباره تست ذرات مغناطیسی

اختصاصی از نیک فایل دانلود تحقیق کامل درباره تست ذرات مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 5

تست ذرات مغناطیسی، مایعات نافذ ، التراسونیک

در این مطلب شما توضیحات مختصری در رابطه با انواع مختلف تستهای ذرات مغناطیسی که جزء تستهای غیر مخرب محسوب می شوند را می خوانید ،

تست ذرات مغناطیسی (MT):از این روش می توان برای یافتن عیوب سطحی و یا نزدیک به سطح در قطعات فرومغناطیسی استفاده نمود. در این تکنیک تمام یا بخشی از قطعه مغناطیس شده و فلوی مغناطیسی از داخل قطعه عبور داده می شود. هر گاه عیبی در سطح یا نزدیکی سطح قطعه وجود داشته باشد باعث نشت فلوی مغناطیسی در قطعه می گردد و نتیجتا باعث به وجود آمدن دو قطب S,N می گردد. که با پاشیدن ذرات ریز فرومغناطیسی مانند اکسید آهن آغشته به مواد فلروسنت بر روی سطح قطعه می توان ترک را زیر نور ماوراء بنفش مشاهده نمود.

مغناطیس کردن به وسیله کابل (MAGNETIZATION bycable):گاهی اوقات ابعاد قطعات به اندازه ای بزرگ است که امکان استفاده از کویل امکان پذیر نیست. وقتی این مسئله اتفاق می افتد یک سیم مسی عایق شده ( روپوش دار) را میتوان برای ایجاد میدان مغناطیسی در ماده استفاده کرد. در این روش سیم (کابل) را به دور قطعه می چرخانیم ( شبیه کویل ) تا یک میدان طولی در قطعه ایجاد شود. استفاده از روش پراد (Use of prode method):پراد وسیله ای است که با استفاده از عبور جریان از میله های مسی موجب ایجاد یک میدان مغناطیسی موضعی می شود . ( (Local magnetizeبطور کلی با روش پراد بیشترین قدرت آشکارسازی برای عیوب موازی خط جوش وجود دارد. روش یوک (Yoke):یوک قطعه ای است فلزی و U شکل با یک سیم پیچ پیچیده شده دور آن که جریان را از خود عبور می دهد. هنگامی که کویل حامل جریان شود در امتداد قطعه یوک ، یک میدان مغناطیسی طولی در قطعه تست ایجاد می شود. در میدان مغناطیسی ایجاد شده توسط یوک میدان مغناطیسی خارجی می تواند ذرات آهن را به شدت جذب کند و جهت بررسی عیوب سطحی به کار می رود. اگر ذرات آهن در میدان میان دو قطب یوک اعمال شود. علائم عیوب سطحی را به آسانی می توان مشاهده نمود. جریان متناوب یکی از مناسبترین جریانهای الکتریکی است که موارد مصرف روزمره دارد به همین دلیل از آن استفاده زیادی به منظور منبعی برای تست ذرات مغناطیسی می باشد.

ذرات (Particles ):ذرات مورد استفاده در تست MT از موادی که به دقت از لحاظ مغناطیس شوندگی ، شکل و قابلیت نفوذپذیری انتخاب شده اند می باشند. این ذرات، مغناطیس باقی مانده را در خود نگه نمی دارند. این ذرات از براده های تراش کاری هم کوچکترند و در حقیقت این ذرات شبیه پودر می باشند . ذرات بر مبنای روشهای استفاده آنها به دو گروه خشک و تر طبقه بندی می شوند. ذرات مغناطیسی توسط نشت میدان مغناطیسی جذب می شوند و تجمع ذرات در محل عیب و نشت میدان می توان موجب آشکار شدن علائم عیب شود .در روش فلروسنت از لامپ UV ( ماوراء بنفش ) که دارای نور مرئی می باشند و به آن نور سیاه نیزگفته می شود استفاده می گردد. پس عملیات تست به وسیله روش فلروسنت در نور مرئی انجام پذیر نیست. ذرات مغناطیسی باید دارای قابلیت نفوذپذیری زیاد باشند تا اطمینان از این که جذب این ذرات توسط میدانهای ضعیف هم صورت می گیرد حاصل شود و همچنین باید این ذرات قابلیت نگهداری کم داشته باشند تا مغناطیس باقیمانده در آن کم باشد و این مواد باید بلافاصله بعد از قطع میدان برطرف شوند البته اگر جذب نشتی میدان نشوند.

تست ذرات مغناطیسی شامل هفت مرحله اصلی می باشد که این مراحل به ترتیب شامل :1- آماده سازی سطح قطعه 2- برقرار کردن یک میدان دایروی در قطعه 3- بازرسی برای علائم عیوب طولی 4- برقرار کردن یک میدان طولی در قطعه 5- بازرسی برای علائم حاصل از عیوب عرضی 6- مغناطیس زدایی - تمیز کردن کامل سطح قطعه از مواد تست کاربرد : در صنایع لوله سازی ، خودرو ، فورجینگ ، هوافضا ، کشتی سازی ، بازرسی فنی و غیره و ...

آزمایشات ذرات مغناطیسی Magnetic particle Testing

   - این روش جهت test عیوب سطحی در فلزات فرو مغناطیس مورد استفاده قرار می گیرد . در این روش امکان تشخیص عیوب زیر سطحی را با سایر روش های NDT مورد بررسی قرار می دهند .

  - رنگ این مواد اغلب خاکستری ، سفید ، قرمز ، زرد ، آبی و یا مشکی می باشد . به این مواد ، ذرات مرئی visible گفته می شود یعنی علائم زیر نور مرئی قابل رویت می باشند . ذرات مغناطیسی ممکن است آغشته به مواد فلوئورسنت باشند که در این صورت علائم زیر نور ماوراء بنفش قابل رویت خواهند بود . حساسیت بازرسی با مواد فلوئورسنت بیشتر از مواد مرئی می باشند.

  ذرات مغناطیسی به دو روش روی قطعه اعمال می شوند :

  - به صورت پودر خشک Dry powder

  - به صورت معلق در آب یا نفت Wet particle

  هر دو روش مزایا و محدودیت هایی دارند ولی روش تر فلوئورسنت از حساسیت بیشتری برخوردار می باشد .

تحقیق درمورد هارددیسک

اختصاصی از نیک فایل تحقیق درمورد هارددیسک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 12

تاریخچه ابزارهای مغناطیسی

همان طور که اغلب می دانیم پیش از اختراع و کاربرد ابزارهای مغناطیسی برای کامپیوترها ،استفاده از کارت پانچ ها ( کارت های سوراخ دار ) رایج بود این مطلب را بسیاری از دانشجویان واساتیدی که قبل از سالهای 1370هجری شمسی در دانشگاه ها حضور داشته اند به خوبی به خاطر می آورند اولین استفاده از ابزارهای مغناطیسی به ژوئن 1949 باز می گردد که گروهی از مهندسین شرکت IBM روی دستگاهی با ضبط مغناطیسی برای کامپیوترها کار می کردند که این تلاش منجر به ارائه آن در سال 1952 گردید اما یک ابزار مغناطیسی کامل نبود چهار سال بعد (1956)IBM اولین دیسک مغناطیسی خود را با ظرفیت 5 مگابایت به همراه کامپیوتر IBM305 RAMACمعرفی کرد که خواندن و نوشتن در هرمکانی از صفحات دیسک آن به صورت تصادفی و اتفاقی (RAM) قابل انجام بود (این در حالی بود که ابزارها ی دیگر ازقبیل نوار پانچ یا نوار تیپ به صورت تصادفی و اتفاقی قابل دستیابی برای نوشتن و خواندن نمی باشد بلکه باید به صورت ترتیبی و پشت سر هم خوانده یا نوشته شوند تا به محل مورد نظر برسید .)

این درایو که دارای50 دیسک با قطر 24 اینچ بود را با هارد دیسک امروزی با دو صفحه و قطر 5/3 اینچ که ظرفیتی برابر با 40،60،80یا 100 یا 120 گیگابایت دارد مقایسه کنید تا شاهد تحول و پیشرفت در ابزارهای ذخیره مغناطیسی باشید.

شرکت IBM (اولین سازنده کامپیوتر ) اولین طراح و سازنده درایوهای مغناطیسی و حتی فلاپی درایوها می باشد که در پیشرفت این ابزارها و ارائه راه حل های تازه و جدید نیز همیشه حرف اول را می زند و هر روز یک نظر و ایده جدید را برای کدبندی داده ها ( نظیر MFM ,RLL) طرح های هد (نظیر TF, MR,GMR,....) فن آوری جدید درایوها (نظیر PRML , ضبط NO-ID ,S.M.A.R.T) ارائه میدهد این شرکت مقام دوم فروش هاردهای کامپیوتر بانام تجاری سیگیت (seagate) را دارا می باشد.

دیسک های مغناطیسی و هد ها

هدهای خواند / نوشتن در دستگاه های ذخیره مغناطیسی تکه های Uشکلی از مواد رسانا (CONDUCTIVE) هستند که دو انتهای این Uبه طور دقیق در بالای سطح دیسک یا رسانه ذخیره کننده اطلاعات قرار می گیرد ( بسته به نوع و طرح هد و رسانه این فاصله متفاوت است ) هد فوق با سیم پیچ های در بر گیرنده قسمت بالای Uبرعکس شده پوشیده شده است که یک جریان اکتریکی از آن عبور می کند زمانی که مدار کنترلر درایو جریانی را از سیم پیچ ها عبور می دهد در هد (قسمت نوک) یک میدان مغناطیسی به وجود می آید تغییر قطبیت جریان الکتریکی مذکور سبب تغغیر قطبیت میدان مغناطیسی نیز خواهد شد به طور کلی با توجه به طرح و مواد مورد استفاده در ساخت هدها قابلیت تغییر قطبیت ولتاژ آنها با سرعت بالا وجود دارد .

صفحات دیسک یا نوارهای مغناطیسی از موادی خاص (نظیر mylerدر فلاپی دیسک ها و آلومینیوم یا شیشه برای هارددیسک ) با پوششی به صورت یک لایه از مواد مغناطیسی رسوب داده شده ساخته می شوند معمولاً این ماده ترکیب از اکسید آهن و مواد افزودنی دیگر می باشد هر یک از ذرات مغناطیسی رسوب داده شده برروی شطح دیسک یانوار دارای میدان مغناطیسی مختص خودمی باشد که در زمان خالی بودن رسانه قطبیت نامنظم دارند .

با توجه به اینکه میدان ذرات مذکور به جهت های اتفاقی و مختلف اشاره می کنند هر میدان مغناطیسی کوچک با میدان دیگری که در جهت مخالف قرار دارد خنثی می شود و در این حالت سطح رسانه دارای قطبیت های یکنواخت و واضحی نمی باشد .

زمانی که یک میدان مغناطیسی توسط جریان عبوری از سیم پیچ هد ( خواندن /نوشتن) درایو ایجاد شوداین میدان از شکاف (gap) میان دو طرف uپرش می کند از آنجاییکه یک میدان مغناطیسی از رسانا راحت تر از هوا عبور می کند بنا براین میدان مغناطیسی از کم مقاومت ترین مسیر یعنی سطح رسانا که دارای مواد فلزی خاص هستند عبور کرده و ذرات موجود در مسیر قطبی خواهند شد به طوریکه با این میدان هم جهت شوند قطبیت میدان و ذرات همان طور که قبلاً گفته شد به جهت جریان الکتریکی اعمال شده به سیم پیچ هد بستگی دارد هر چند فاصله هد با سطح رسانه کمتر باشد اندازه حوزه مغناطیس ضبط شده (میدان مغناطیسی)کوچتر بوده و در نتیجه چگالی اطلاعاتی که در سطح رسانه ذخیره می شوند بیشتر خواهدبود.

جهت یا قطبیت یک میدان مغناطیسی را با پارامتری به نام شار (flux) مشخص می کنند زمانی که جریان الکتریکی در سیم پیچ های هد عکس می شود شار یا قطبیت میدان مغناطیسی موجود در شکاف هد نیز تغییر می کند عکس شدگی شار (flux reversal) در هد باعث معکوس شدن قطبیت ذرات مغناطیس شده موجود در سطح رسانه یادیسک میشود .

هد، تغییرات شار را در رسانه ایجاد می کند تا اطلاعات ضبط گردند. این هد برای هر یک از بیت های 0 یا 1، الگویی از عکس شدگی های شار مثبت به منفی و منفی ه مثبت ایجاد می کند که این الگوها مربوط به ناحیه ای از سطوح دیسک به نام سلول‌های بیتی (bit cells) می باشد. الگوی عکس شدگی های شار برای ذخیرة یک بیت در سلول آن یا ناحیة خاص آن در سطح دیسک را کدبندی (Encoding) اطلاعات گویند. بورد کنترلر دستگاه ذخیرة مغناطیسی، اطلاعاتی که باید ذخیره شوند را می گیرد و در یک دوره زمانی، آنها به عنوان جریانی از عکس شدگی های شار کدبندی می کند.

دانلود پاورپوینت ارزشمند نانو ذرات مغناطیسی

اختصاصی از نیک فایل دانلود پاورپوینت ارزشمند نانو ذرات مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فهرست مطالب

تاریخچه نانو ذرات مغناطیسی

روش های سنتز نانو ذرات مغناطیسی Fe3O4

روش های همرسوبی

مشکل روش همرسوبی

راه حل مشکل روش همروسوبی

مزایا و معایب روش همرسوبی

روش های بر پایه مواد آلی فلزی

تصاویر TEMذرات تولید شده در روش بر پایه ی مواد الی فلزی
  روش های بر پایه میکروامولسیون ها

کاربرد های نانو ذرات مغناطیسی

 نقش انزیمی نانو ذرات

حذف فلزات

تعداد اسلاید: 29 صفحه

با قابلیت ویرایش

مناسب جهت ارائه سمینار و انجام تحقیقات و گزارشات

تحقیق درباره ممان مغناطیسی چیست

اختصاصی از نیک فایل تحقیق درباره ممان مغناطیسی چیست دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل:  ورد ( قابلیت ویرایش ) 

---

قسمتی از محتوی متن ...

تعداد صفحات : 19 صفحه

محاسبه متوسط ممان مغناطیسی هسته در یک میدان H و دمای T Application of canonical distribution in (Nuclear Magnetism) ماده را در نظر می گیریم که دارای N0 هسته در واحد حجم باشد.
و در یک میدان مغناطیسی H قرار گرفته باشد. هر هسته دارای اسپین و ممان مغناطیسی است. ممان متوسط مغناطیسی ماده (در جهت H) در درجه حرارت T چقدر است؟
فرض می کنیم که هر هسته دارای برهم کنش ضعیف با سایر هسته ها و سایر درجات آزادی است.
همچنین یک هسته را بعنوان سیستم کوچک در نظر می گیریم و بقیه هسته ها و سایر درجات آزادی را بعنوان منبع حرارتی می گیریم. هرهسته می‌تواند دارای دوحالت باشد+یا هم‌جهت بامیدان واقع در تراز انرژی پائین یا در خلاف جهت میدان واقع در تراز انرژی بالا (Cثابت تناسب است ) چون این حالت دارای انرژی متر است پس احتمال یافتن هسته در آن بیشتر است. از طرفی احتمال یافتن هسته در حالت تراز بالای انرژی برابر است با و چون این حالت دارای انرژی بیشتری است پس احتمال یافتن هسته در آن کمتر است.
(چون تعداد حالات بیشتر است با افزایشE، افزایش می یابد و ذره شکل پیدا می شد در حالت بخصوص) و چون احتمال یافتن هسته در حالت + بیشتر است پس ممان مغناطیسی هسته نیز باید در این جهت باشد. با توجه به دو رابطه های مقابل مهمترین متغیر در این دو رابطه که نسبت انرژی مغناطیسی به انرژی حرارتی را نشان می دهد پارامتر زیر می باشد. که نسبت انرژی مغناطیسی به انرژی حرارتی را نشان می دهد پارامتر زیر می باشد: واضح است که اگر نمای هر دو e یعنی احتمال اینکه هم جهت با H باشد برابر با احتمال اینکه در خلاف جهت H باشد. در اینصورت تقریباً کاملاً بطور نامنظم جهت گیری می کند بطوریکه: از طرف دیگر اگر اگر احتمال هم جهت بودن ؛ H بیشتر از خلاف جهت است تمام این نتایج کیفی را به نتایج کمی تبدیل می کنیم. بوسیله محاسبه واقعی متوسط Magnetization mean magnetization per unit nolume in the direction of H حالا چک کنیم که آیا استدلالهای کیفی قبلی را نمایان می کند؟
اگر اگر مستقل از H است که ثابت تناسب است X(chay)ij که به آن پذیرایی ماده مغناطیسی گفته می شود.
Magnetic Susceptibility of Substance X برحسب کمیات میکروسکوپیک و اینکه باد، رابطه عکس دارد به قانون کوری معروف است Curie’s Law از طرف دیگر مستقل از H است یا T اگر و مساوی با Mmax مغناطیسی شدن max of magnetization که ماده می تواند نمایش بدهد. بستگی کامل متوسط مغناطیسی شدن به دمای T و میدان مغناطیسی H در شکل زیر نشان داده شده است. منحنی زیر منحنی tanhy است که اگر y با نسبت کمتر از یک باشد آنگاه بستگی به مقدار H افزایش می یابد و اگر باشد این نسبت 0.63 است و اگر بیشتر از یک باشد آنگاه مغناطیس شدن به حالت اشباع و ماکزیمم خود می‌رسد. متوسط مغناطیس شدن برای مشاهده رزونانس در یک ماکروسکپی سیستمی را در نظر می گیریم که هسته‌های آن دارای چون تعداد زیادی هسته در نمونه ماکروسکپی وجود دارند، تعداد هسته های در حالتهای ms برابر را با مشخص می کنیم. تعداد کل اسپینها یعنی N ثابت است ولی بکار بردن یک میدان متناوب تحریک باعث تغییر در N+ یا N- بخاطر انتقالهایی که صور

متن بالا فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.شما بعد از پرداخت آنلاین فایل را فورا دانلود نمایید

بعد از پرداخت ، لینک دانلود را دریافت می کنید و ۱ لینک هم برای ایمیل شما به صورت اتوماتیک ارسال خواهد شد.

نیروهای الکتریکی و مغناطیسی

اختصاصی از نیک فایل نیروهای الکتریکی و مغناطیسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقالات  فیزیک با فرمت           DOC           صفحات  52

در این نوشته هدف اصلی توجیه اثر متقابل فوتون و گراویتون با توجه به نظریه سی. پی. اچ است. نخستین برخورد ها با اثر فوتوالکتریک از دیدگاه الکترومغناطیس کلاسیک صورت گرفت که توانایی توجیه آن را نداشت. سپس انیشتین این پدیده را با توجه به دیدگاه کوانتومی توجیه کرد. بنابراین نخست میدانها و امواج الکترومغناطیسی کلاسیک را بطور فشرده بیان کرده، آنگاه با ذکر نارسایی آن به تشریح پدیده فوتوالکتریک از دیدگاه انیشتین می پردازم و سرانجام هر سه اثر فوتوالکتریک، اثر کامپتون و تولید و واپاشی زوج ماده - پاد ماده را با توجه به نظریه سی. پی. اچ. بررسی خواهم کرد. و سرانجام تلاش خواهد شد تا وحدت نیروهای الکترومغناطیس و گرانش را نتیجه گیری کنیم.

نیروهای الکتریکی و مغناطیسی

نیروهای بین بارهای الکتریکی را می توان به دو نوع تقسیم کرد. دو بار نقطه ای ساکن یا متحرک به یکدیگر نیروی الکتریکی وارد می کنند که از رابطه ی زیر به دست می آید:

Fe=kqQ/r2

که در آن

وقتی دو بار الکتریکی نسبت به ناظری در حرکت باشند، علاوه بر نیروی الکتریکی، نیروی مغناطیسی نیز بر یکدیگر وارد می کنند.

از آنجاییکه بررسی نیروها با استفاده از مفاهیم میدان عمیق تر و ساده تر است، می توان گفت که هر بار الکتریکی در اطراف خود یک میدان الکتریکی ایجاد می کند که شدت آن در فاصله r از آن، از رابطه ی زیر به دست می آید: