فایل در زمینه توسعه صنایع پایین دستی پتروشیمی در 24 صفحه پاورپوینت فارسی

اختصاصی از نیک فایل فایل در زمینه توسعه صنایع پایین دستی پتروشیمی در 24 صفحه پاورپوینت فارسی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده های عملیاتی با توان و ولتاژ پایین و هدایت انتقالی ثابت

اختصاصی از نیک فایل طراحی و شبیه سازی تقویت کننده های عملیاتی با توان و ولتاژ پایین و هدایت انتقالی ثابت دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 

 

 

 

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده های عملیاتی با توان و ولتاژ پایین و هدایت انتقالی ثابت

DESIGN and SIMULATION OPERATIONAL
AMPLIFIERS with LOW VOLTAGE and POWER and
CONSTANT GM

فهرست مطالب:
چکیده............................................................................................................................................................................ 1
مقدمه............................................................................................................................................................................. 3
فصل اول : کلیات
1) تقویت کننده عملیاتی.............................................................................................................................. 6 -1 °
2) پارامترهای پایهای در تقویت کننده عملیاتی...................................................................................... 8 -1 °
3) کاربردهای مهم تقویت کننده عملیاتی.............................................................................................. 11 -1 °
1) تقویت کننده وارون ساز................................................................................................................... 11 -3 -1 °
2) تقویت کننده نا وارون ساز................................................................................................................ 12 -3 -1 °
4) مشخصه الکتریکی ترانزیستورهای ماسفت........................................................................................ 13 -1 °
1-4 ) وارونگی قوی........................................................................................................................................ 14 -1
2) وارونگی ضعیف................................................................................................................................... 16 -4 -1 °
1-2 ) هدایت انتقالی در وارونگی ضعیف............................................................................................. 17 -4 -1 °
3) ناحیه وارونگی متوسط..................................................................................................................... 18 -4 -1 °
5) ولتاژ تغذیه پایین، توان پایین............................................................................................................. 19 -1 °
1-5 ) چالشهای اصلی طراحی مدار آنالوگ ولتاژ پایین..................................................................... 19 -1 °
1-1-5 ) محدوده دینامیکی....................................................................................................................... 21 -1 °
2-5 ) توان پایین.......................................................................................................................................... 23 -1 °
1-2-5 ) موجبات مصرف توان در مدارات مجتمع................................................................................ 25 -1 °
فصل دوم : طبقه ورودی
1) زوج ورودی تفاضلی ماسفت.................................................................................................................. 28 -2 °
ز
30......................................................................................Rail-to-Rail 2) معرفی طبقات ورودی مکمل -2 °
و معایب آن............................................................................................. 31 R-R 3) توصیف طبقه ورودی -2 °
4) ساختارهای ورودی در محیط ولتاژ پایین.......................................................................................... 34 -2 °
1) ترانزیستورهای مد تخلیه.................................................................................................................. 34 -4 -2 °
2) ترانزیستورهای گیت شناور.............................................................................................................. 34 -4 -2 °
3) ترانزیستورهای راه اندازی شده با بدنه........................................................................................... 40 -4 -2 °
1-3 ) معایب روش راه اندازی شده با بدنه.......................................................................................... 47 -4 -2 °
4) رهیافت انتقال دهنده سطح............................................................................................................. 48 -4 -2 °
1-4 ) انتقال سیگنال................................................................................................................................ 51 -4 -2 °
1-1-4 ) انتقال سیگنال خازنی.............................................................................................................. 52 -4 -2 °
2) انتقال سطح مقاومتی.............................................................................................................. 52 -1-4-4 -2
5-4 ) ورودی شبه تفاضلی........................................................................................................................... 54 -2
6-4 ) روش خود کسکد................................................................................................................................ 55 -2
7) مدارات زیر آستانه.............................................................................................................................. 58 -4 -2 °
1-7-4-2 ) تقویت کننده توان پایین با بایاس در ناحیه زیر آستانه....................................................... 61
فصل سوم : طبقه ورودی با هدایت انتقالی ثابت
1) چرا هدایت انتقالی ثابت؟....................................................................................................................... 63 -3 °
ثابت ............................................................................................. 68 gm 2) مروری بر طراحی تکنیکهای -3 °
ثابت- جریان دنباله متغیر........................................................................................... 68 gm 1) تکنیک -2 -3 °
ثابت- انتخاب جریان مینیمم/ ماکزیمم ................................................................. 72 gm 2) تکنیک -2 -3 °
ثابت- انتقال سطح ....................................................................................................... 73 gm 3) تکنیک -2 -3 °
ثابت برای منبع تغذیه 3 ولت............................................................ 75 gm 4) ساختار طبقه ورودی -2 -3 °
76................................................................................................... Kn = Kp ، ثابت gm 5) طبقه ورودی -2 -3 °
78..................................................................................................... Kn ≠ Kp ، ثابت gm 6) طبقه ورودی -2 -3 °
ح
7) هدایت انتقالی ثابت با آینه جریان یک برابر................................................................................. 81 -2 -3 °
فصل چهارم: بهبود بهره
1) افزایش هدایت انتقالی ........................................................................................................................... 86 -4 °
2) بهبود امپدانس خروجی ........................................................................................................................ 87 -4
1) کسکد .................................................................................................................................................. 87 -2 -4 °
2) ساختارهای کسکد در طراحی ولتاژ پایین ................................................................................... 90 -2 -4 °
فصل پنجم : طبقه خروجی و جبران فرکانسی
1) ولتاژ خروجی سورس مشترک.............................................................................................................. 93 -5 °
1) طبقه خروجی سورس مشترک....................................................................................................... 93 -1 -5 °
97................................................................................................................. AB 2) طبقات خروجی کلاس -5
پیش خور............................................................................................. 101 AB 3) طبقات خروجی کلاس -5 °
پس خور............................................................................................... 106 AB 4) طبقات خروجی کلاس -5 °
5) جبران سازی فرکانسی........................................................................................................................ 109 -5 °
1) جبران میلر........................................................................................................................................ 109 -5 -5 °
2) خنثی کردن صفر میلر................................................................................................................... 113 -5 -5 °
3) جبران سازی میلر کسکد............................................................................................................... 114 -5 -5 °
4) جبران میلر نستد............................................................................................................................. 117 -5 -5 °
فصل ششم : طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی
با هدایت انتقالی ثابت ..................................................................... 123 Rail-to-Rail 1) طبقه ورودی -6 °
2) طبقه خروجی........................................................................................................................................ 125 -6 °
3) جبران فرکانسی..................................................................................................................................... 125 -6
4) پارامترهای طراحی............................................................................................................................... 126 -6 °
ط
5) نتایج شبیه سازی.................................................................................................................................. 127 -6 °
فصل هفتم : نتیجه گیری و پیشنهادات
° نتیجه گیری........................................................................................................................................................ 131
° پیشنهادات......................................................................................................................................................... 132
پیوست................................................................................................................................................................ 134
منابع و ماخذ
فهرست منابع لاتین.............................................................................................................................................. 135
چکیده انگلیسی

طراحی و شبیه سازی مبدل آنالوگ به دیجیتال توان پایین

اختصاصی از نیک فایل طراحی و شبیه سازی مبدل آنالوگ به دیجیتال توان پایین دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده

هدف ما در این پروژه طراحی مبدل آنالوگ به دیجیتال با توان مصرفی پایین برای کاربردهای کم حجم و قابل حمل بود. که با مطالعه روش ها و مزایا و معایب هرکدام از آنها برای این کار، مدولاتور سیگما دلتار مرتبه اول تعیین گردید. اصلی ترین مصرف کننده توان در مدولاتور سیگما دلتا قسمت تقویت کننده عملیاتی آن می باشد. که اگر تقویت کننده عملیاتی را از لحاظ مصرف توان بهینه سازی کنیم، توان مصرفی کل مدولاتور به صورت چشم گیری کاهش می یابد. برای این منظور دو راهکار ارائه شده است. یکی استفاده از ترانزیستورهای MIFG MOSFET در ورودی تقویت کننده عملیاتی و مقایسه کننده، که با کاهش ولتاژ منبع تغذیه باعث کاهش توان مصرفی گردیده و دیگری اضافه کردن دو عدد ترانزیستور در مسیر جریان تقویت کننده تفاضلی که بدون افزایش جریان مصرفی مدار، بهره تقویت کننده عملیاتی افزایش یافته است. در نتیجه سیستم دارای فرکانس نمونه برداری 8MHZ با بهره مناسب 85db می باشد و قدرت تفکیک پذیری 8 بیتی و حاشیه فاز 72 درجه با پهنای باند 65KHZ را تهیه می کند. همچنین توان مصرفی در محدود 800 میکرووات را دارا می باشد. در نهایت مدار طراحی شده با استفاده از نرم افزار HSPICE تحت شرایط CMOS 0.35 um استاندارد شبیه سازی گردیده است. در شبیه سازی مشکل عمده تعریف نشدن ترانزیستورهای گیت شناور در نرم افزار HSPICE بودند که با اندکی تغییر در مدار این کار هم امکان پذیر شده و نتایج مورد نظر به دست آمدند.

مقدمه

در کاربردهایی نظیر دستگاه های قابل حمل و یا دستگاه هایی که با باطری کار می کنند و تجهیزاتی که متحرک بوده و یا در بدن موجودات زنده به منظورهای متفاوتی کاشته می شوند به دلیل محدود بودن انرژی و طولانی شدن عمر باطری و همچنین آلودگی کمتر محیط زیست لازم است که توان مصرفی تا حد ممکن پایین تر باشد. در این میان مبدل های آنالوگ به دیجیتال از جمله بلوک های مدارات الکترونیکی هستند که در بیشتر سیستم ها کاربرد دارند. چون دنیای بیرون یا طبیعت آنالوگ بوده ولی پردازش سیگنال به صورت دیجیتالی صورت می گیرد. بنابراین لازم است که سیگنال های طبیعی ابتدا به سیگنال دیجیتال تبدیل شوند. از طرفی دیگر چون تعداد استفاده این بلوک ها در سیستم های مختلف زیاد است هرچقدر توان مصرفی را پایین بیاوریم به سمت بهینه سازی حرکت کرده ایم.

به دلیل مزیت های عمده پردازش سیگنال های دیجیتال، طراحی مبدل های آنالوگ به دیجیتال مورد نظر می باشند. این مزیت ها باعث می شود که تکنولوژی مدارهای مجتمع در جهت طراحی مدارهای دیجیتال توسعه داده شوند. از طرفی دیگر پایین آوردن ولتاژ منبع تغذیه و کم کردن سطح لازم برای ساخت تراشه از جمله پیشرفت های تکنولوژی حاضر می باشند. پس بایستی طراحی مبدل های آنالوگ به دیجیتال نیز با ولتاژهای پایین و توان مصرفی پایین در کنار مدارهای پردازش سیگنال دیجیتال در داخل یک تراشه صورت گیرند تا هم از اضافه شدن نویز در مسیر انتقال سیگنال که معمولاً ضعیف است جلوگیری شود و هم ضریب مجتمع سازی در تراشه افزایش یابد.

طراحی مدارهای دیجیتال با استفاده از تکنولوژی CMOS به علت قابلیت مجتمع سازی بالا، توان مصرفی کم و قیمت تمام شده پایین تاکنون بی رقیب بوده است با توجه به اینکه جهت پیشرفت تکنولوژی CMOS را مدارهای دیجیتال تعیین می کنند، طراحان مدارهای آنالوگ بایستی خود را برای استفاده از افزاره هایی که لزوماً برای کاربردهای آنالوگ مناسب نیستند، تطبیق دهند.

این پایان نامه در 4 فصل تنظیم شده است. در فصل اول تئوری مبدل های آنالوگ به دیجیتال، و انواع روش های موجود و مزایا و معایب هرکدام بررسی شده است و در فصل دوم طراحی مدارهای قسمت های مختلف مبدل آنالوگ به دیجیتال سیگما دلتای مرتبه اول ارائه شده و روش مورد استفاده برای کم کردن توان مصرفی آن شرح داده شده است. در فصل سوم مدارات و طرز استفاده آنها جهت شبیه سازی به صورت جداگانه و کلی همچنین نتایج شبیه سازی آورده شده است. در فصل چهارم هم نتایج و پیشنهادات ارائه شده و مقایسه ای با کارهای موجود انجام یافته است.

تعداد صفحه : 98

دانلود مقاله ISI استراتژی بالا به پایین به معکوس معماری دیدگاه اعدام برای یک بزرگ و نرم افزار سیستم فشرده پیچیده

اختصاصی از نیک فایل دانلود مقاله ISI استراتژی بالا به پایین به معکوس معماری دیدگاه اعدام برای یک بزرگ و نرم افزار سیستم فشرده پیچیده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع فارسی :استراتژی بالا به پایین به معکوس معماری دیدگاه اعدام برای یک بزرگ
و نرم افزار سیستم فشرده پیچیده

موضوع انگلیسی :A top-down strategy to reverse architecting execution views for a large
and complex software-intensive system

تعداد صفحه :15

فرمت فایل :PDF

سال انتشار :2011

زبان مقاله : انگلیسی

این مقاله گزارش تجربه در مورد استفاده از یک استراتژی بالا به پایین برای استفاده است و
جاسازی یک رویکرد بازسازی معماری در توسعه نرم افزار افزایشی
روند اسکنر فیلیپس MRI، یک نماینده بزرگ و پیچیده نرم افزار فشرده
سیستم. رویکرد فرآیند تکرار شونده برای ساخت نمایش اعدام بدون اینکه است
تحت الشعاع اندازه سیستم و پیچیدگی. مشاهده اعدام معماری
اطلاعات توضیح دهد که چه نرم افزار از یک سیستم نرم افزار فشرده می کند در
زمان اجرا و چگونه آن را کند این است. استفاده از استراتژی با یک مورد نشان داده شده
مطالعه، ساخت و ساز از نظر اعدام تا به تاریخ برای شروع، تا از
اسکنر فیلیپس MRI. ساخت و ساز از این دیدگاه کمک سازمان توسعه
را به سرعت کاهش حدود 30 درصد از زمان راه اندازی از اسکنر، و راه اندازی یک سیستم جدید
معیار برای حصول اطمینان از عملکرد سیستم را از طریق مراحل تکامل آینده. گزارش
اطلاعات دقیق در مورد استفاده از استراتژی بالا به پایین، از جمله
چگونه آن را از تجزیه و تحلیل بالا به پایین، ارتباطات درون سازمان توسعه،
و جنبه های که استفاده از استراتژی بالا به پایین در زمینه های دیگر را تحت تاثیر قرار.